意法半導(dǎo)體首批8英寸碳化硅晶圓問世，SiC熱度高漲！
意法半導(dǎo)體首批8英寸碳化硅晶圓問世，SiC熱度高漲！
來源：化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)
7月27日，意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）官微宣布，ST瑞典北雪平工廠制造出首批8英寸SiC晶圓片，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。
圖片來源：ST官微
意法半導(dǎo)體的首批8英寸SiC晶圓片性能良好，缺陷率較低，主要源于其收購(gòu)的Norstel公司在SiC硅錠生長(zhǎng)技術(shù)開發(fā)方面的深厚積累。除了晶圓片滿足嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)外，SiC晶圓升級(jí)到8英寸還需要對(duì)制造設(shè)備和整體支持生態(tài)系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)更換，因此意法正在與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作開發(fā)自己的制造設(shè)備和生產(chǎn)工藝。
目前意法半導(dǎo)體的SiC量產(chǎn)產(chǎn)品STPOWER SiC在卡塔尼亞（意大利）和宏茂橋（新加坡）兩家6英寸晶圓廠完成前工序制造，后工序制造是在深圳（中國(guó)）和布斯庫(kù)拉（摩洛哥）的兩家封測(cè)廠進(jìn)行的。
SiC功率器件的整體性能指標(biāo)遠(yuǎn)超硅基，目前影響其大規(guī)模應(yīng)用的核心障礙還是價(jià)格太高。短期來看，4/6英寸晶圓能夠帶來的成本優(yōu)化速度有限，迅速切入8英寸則是實(shí)現(xiàn)成本降低的最佳方案。
另一方面，目前核心SiC器件玩家仍然是意法、安森美、英飛凌、CREE等大型IDM企業(yè)和博世這樣傳統(tǒng)的汽車產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，材料、器件設(shè)計(jì)、器件制造的市場(chǎng)集成度中短期內(nèi)非常高。因此，主流大廠對(duì)8英寸產(chǎn)品的迅速導(dǎo)入，能大力推動(dòng)整個(gè)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
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