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英特爾發(fā)布最詳細(xì)制程工藝和封裝技術(shù)路線圖
來源：半導(dǎo)體在線

▲圖片來源于英特爾

    2021年7月27日，英特爾CEO帕特·基辛格在“英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會”上發(fā)表演講。在這次線上發(fā)布會中，英特爾提出了未來制程工藝和封裝技術(shù)路線圖。

    今天，英特爾公司今天公布了公司有史以來最詳細(xì)的制程工藝和封裝技術(shù)路線圖，展示了一系列底層技術(shù)創(chuàng)新，這些創(chuàng)新技術(shù)將不斷驅(qū)動從現(xiàn)在到2025年乃至更遠(yuǎn)未來的新產(chǎn)品開發(fā)。除了公布其近十多年來首個全新晶體管架構(gòu) RibbonFET 和業(yè)界首個全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)PowerVia之外，英特爾還重點介紹了迅速采用下一代極紫外光刻（EUV）技術(shù)的計劃，即高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV。英特爾有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。

“基于英特爾在先進(jìn)封裝領(lǐng)域毋庸置疑的領(lǐng)先性，我們正在加快制程工藝創(chuàng)新的路線圖，以確保到 2025 年制程性能再度領(lǐng)先業(yè)界。英特爾正利用我們無可比擬的持續(xù)創(chuàng)新的動力，實現(xiàn)從晶體管到系統(tǒng)層面的全面技術(shù)進(jìn)步。在窮盡元素周期表之前，我們將堅持不懈地追尋摩爾定律的腳步，并持續(xù)利用硅的神奇力量不斷推進(jìn)創(chuàng)新?！?帕特·基辛格英特爾公司CEO”

    業(yè)界早就意識到，從1997年開始，基于納米的傳統(tǒng)制程節(jié)點命名方法，不再與晶體管實際的柵極長度相對應(yīng)。如今，英特爾為其制程節(jié)點引入了全新的命名體系，創(chuàng)建了一個清晰、一致的框架，幫助客戶對整個行業(yè)的制程節(jié)點演進(jìn)建立一個更準(zhǔn)確的認(rèn)知。隨著英特爾代工服務(wù)（IFS）的推出，讓客戶清晰了解情況比以往任何時候都顯得更加重要?；粮裾f：“今天公布的創(chuàng)新技術(shù)不僅有助于英特爾規(guī)劃產(chǎn)品路線圖，同時對我們的代工服務(wù)客戶也至關(guān)重要。業(yè)界對英特爾代工服務(wù)（IFS）有強烈的興趣，今天我很高興我們宣布了首次合作的兩位重要客戶。英特爾代工服務(wù)已揚帆起航！”

     英特爾技術(shù)專家詳述了以下路線圖，其中包含新的節(jié)點命名和實現(xiàn)每個制程節(jié)點的創(chuàng)新技術(shù)：

    ● 基于FinFET晶體管優(yōu)化，Intel 7與Intel 10nm SuperFin相比，每瓦性能將提升約10%-15%。2021年即將推出的Alder Lake客戶端產(chǎn)品將會采Intel 7工藝，之后是面向數(shù)據(jù)中心的 Sapphire Rapids預(yù)計將于 2022 年第一季度投產(chǎn)。

    ● Intel 4完全采用EUV光刻技術(shù)，可使用超短波長的光，刻印極微小的圖樣。憑借每瓦性能約20%的提升以及芯片面積的改進(jìn)，Intel 4將在2022年下半年投產(chǎn)，并于2023年出貨，這些產(chǎn)品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數(shù)據(jù)中心的Granite Rapids。

    ● Intel 3憑借FinFET的進(jìn)一步優(yōu)化和在更多工序中增加對EUV使用，較之Intel 4將在每瓦性能上實現(xiàn)約18%的提升，在芯片面積上也會有額外改進(jìn)。Intel 3將于2023年下半年開始用于相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。

    ● Intel 20A將憑借RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術(shù)開啟埃米時代。RibbonFET是英特爾對Gate All Around晶體管的實現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度，同時實現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電流，但占用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。Intel 20A預(yù)計將在2024年推出。英特爾也很高興能在Intel 20A制程工藝技術(shù)上，與高通公司進(jìn)行合作。

    ● 2025年及更遠(yuǎn)的未來：從Intel 20A更進(jìn)一步的Intel 18A節(jié)點也已在研發(fā)中，將于2025年初推出，它將對RibbonFET進(jìn)行改進(jìn)，在晶體管性能上實現(xiàn)又一次重大飛躍。英特爾還致力于定義、構(gòu)建和部署下一代High-NA EUV，有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。英特爾正與ASML密切合作，確保這一行業(yè)突破性技術(shù)取得成功，超越當(dāng)前一代EUV。

    英特爾高級副總裁兼技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher博士表示：“英特爾有著悠久的制程工藝基礎(chǔ)性創(chuàng)新的歷史，這些創(chuàng)新均驅(qū)動了行業(yè)的飛躍。我們引領(lǐng)了從90納米應(yīng)變硅向45納米高K金屬柵極的過渡，并在22納米時率先引入FinFET。憑借RibbonFET和PowerVia兩大開創(chuàng)性技術(shù)，Intel 20A將成為制程技術(shù)的另一個分水嶺?！?br/>

▲英特爾高級副總裁兼技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher博士

    隨著英特爾全新IDM 2.0戰(zhàn)略的實施，封裝對于實現(xiàn)摩爾定律的益處變得更加重要。英特爾宣布，AWS將成為首個使用英特爾代工服務(wù)（IFS）封裝解決方案的客戶。英特爾對領(lǐng)先行業(yè)的先進(jìn)封裝路線圖提出：

    ● EMIB作為首個2.5D嵌入式橋接解決方案將繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)，英特爾自2017年以來一直在出貨EMIB產(chǎn)品。Sapphire Rapids將成為采用EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）批量出貨的首個英特爾?至強?數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品。它也將是業(yè)界首個提供幾乎與單片設(shè)計相同性能的，但整合了兩個光罩尺寸的器件。繼Sapphire Rapids之后，下一代EMIB的凸點間距將從55微米縮短至45微米。

    ● Foveros利用晶圓級封裝能力，提供史上首個3D堆疊解決方案。Meteor Lake是在客戶端產(chǎn)品中實現(xiàn)Foveros技術(shù)的第二代部署。該產(chǎn)品具有36微米的凸點間距，不同晶片可基于多個制程節(jié)點，熱設(shè)計功率范圍為5-125W。

    ● Foveros Omni開創(chuàng)了下一代Foveros技術(shù)，通過高性能3D堆疊技術(shù)為裸片到裸片的互連和模塊化設(shè)計提供了無限制的靈活性。Foveros Omni允許裸片分解，將基于不同晶圓制程節(jié)點的多個頂片與多個基片混合搭配，預(yù)計將于2023年用到量產(chǎn)的產(chǎn)品中。

    ● Foveros Direct實現(xiàn)了向直接銅對銅鍵合的轉(zhuǎn)變，它可以實現(xiàn)低電阻互連，并使得從晶圓制成到封裝開始，兩者之間的界限不再那么截然。Foveros Direct實現(xiàn)了10微米以下的凸點間距，使3D堆疊的互連密度提高了一個數(shù)量級，為功能性裸片分區(qū)提出了新的概念，這在以前是無法實現(xiàn)的。Foveros Direct是對Foveros Omni的補充，預(yù)計也將于2023年用到量產(chǎn)的產(chǎn)品中。

    今天討論的突破性技術(shù)主要在英特爾俄勒岡州和亞利桑那州的工廠開發(fā)，這鞏固了英特爾作為美國唯一一家同時擁有芯片研發(fā)和制造能力的領(lǐng)先企業(yè)的地位。此外，這些創(chuàng)新還得益于與美國和歐洲合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)的緊密合作。深入的合作關(guān)系是將基礎(chǔ)性創(chuàng)新從實驗室研發(fā)投入到量產(chǎn)制造的關(guān)鍵，英特爾致力于與各地政府合作，強化供應(yīng)鏈，并推動經(jīng)濟和國家安全。

 
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