2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)能創(chuàng)歷史新高，產(chǎn)能利用率93%
2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)能創(chuàng)歷史新高，產(chǎn)能利用率93%
據(jù)知名市場研究機構(gòu)IC Insights的最新報告，全球半導(dǎo)體已安裝總產(chǎn)能（installed capacity），今年將達(dá)到2.636億片8英寸約當(dāng)晶圓，同比增長8.7%，創(chuàng)下歷史新高。
今年半導(dǎo)體產(chǎn)能的提升，主要得力于SK Hynix和Winbond新建的大型內(nèi)存工廠，以及臺積電的積極擴產(chǎn)，包括兩座5nm和3nm先進(jìn)工藝的產(chǎn)能增長，和位于南京的28nm工藝產(chǎn)能擴充。臺積電今年預(yù)估資本開支超過400億美元。
過去5年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能年增長率從2016年的4.0%提升到2021年的8.5%。
盡管面臨通脹壓力、持續(xù)的供應(yīng)鏈問題和其他經(jīng)濟困難，IC Insights仍然預(yù)計，半導(dǎo)體需求十分強勁，今年出貨量將同比增長9.2%。即使今年有10座新的晶圓廠投入使用，今年產(chǎn)能利用率可以達(dá)到93%的高位，略低于2021年的93.8%。
IC Insights的歷史統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，半導(dǎo)體產(chǎn)能增速呈現(xiàn)一定的周期性，在2002年出現(xiàn)首次負(fù)增長，2009年出現(xiàn)較大幅度負(fù)增長（-6%），隨后進(jìn)入景氣時期，一直延續(xù)至今。前兩次負(fù)增長，一是互聯(lián)網(wǎng)泡沫危機剛結(jié)束，一是全球金融危機。
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