瑞薩電子將投資900億日元提高功率半導(dǎo)體產(chǎn)能
日本MCU制造商瑞薩電子17日發(fā)布公告稱,將投資900億日元用于甲府工廠,以生產(chǎn)300毫米晶圓功率半導(dǎo)體,預(yù)計2024年投入生產(chǎn)。
瑞薩電子指出,為實現(xiàn)無碳社會,預(yù)計全球?qū)μ峁┖涂刂齐娏Φ母咝Чβ拾雽?dǎo)體的需求將增加。特別是電動汽車 (EV) 的需求將迅速擴大,瑞薩將通過提高 IGBT等功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)能力,為實現(xiàn)無碳社會做出貢獻。隨著甲府工廠開始全面量產(chǎn),瑞薩功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能將翻倍。
據(jù)了解,甲府工廠旗下?lián)碛?50mm和200mm晶圓生產(chǎn)線。此次瑞薩電子決定有效利用甲府工廠的現(xiàn)有建筑,啟動300 mm晶圓生產(chǎn)線以提高功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。
聲明:本文版權(quán)歸原作者所有,轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播,若有異議請聯(lián)系我們修改或刪除:zhangkai@cgbtek.com
COPYRIGHT北京華林嘉業(yè)科技有限公司 版權(quán)所有 京ICP備09080401號