徐州致能半導(dǎo)體氮化鎵及共封裝器件研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目預(yù)計(jì)11月投產(chǎn)
徐州致能半導(dǎo)體氮化鎵及共封裝器件研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目預(yù)計(jì)11月投產(chǎn)
集微網(wǎng)消息，據(jù)徐州日?qǐng)?bào)報(bào)道，致能半導(dǎo)體氮化鎵及共封裝器件研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目正在進(jìn)行研發(fā)試驗(yàn)片的試生產(chǎn)。當(dāng)前130名員工全部復(fù)工，生產(chǎn)線處于滿線生產(chǎn)狀態(tài)，研發(fā)試驗(yàn)片的月產(chǎn)量能達(dá)到1000多件。
去年1月，致能半導(dǎo)體上馬的氮化鎵及其共封裝器件研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目正式開工建設(shè)，11月進(jìn)入聯(lián)調(diào)聯(lián)試階段，今年11月，氮化鎵及共封裝器件研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目預(yù)計(jì)可正式投產(chǎn)。
據(jù)悉，徐州致能半導(dǎo)體自主研發(fā)的氮化鎵芯片共封裝技術(shù)，把氮化鎵功率芯片與硅驅(qū)動(dòng)芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起，形成氮化鎵芯片共封裝器件，可有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統(tǒng)PCB板連接導(dǎo)致的延時(shí)較大、寄生電感較大、干擾嚴(yán)重等問題，能夠較好發(fā)揮氮化鎵芯片的高頻優(yōu)勢(shì)。
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