國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心分中心落地太原
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心分中心落地太原
近日，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（山西）推進(jìn)會在太原第一實驗室召開，山西省政府、太原市政府、長治市政府、以及中北大學(xué)、中科潞安、中電科二等共建單位參加會議。
據(jù)悉，科技部圍繞國家重大區(qū)域發(fā)展戰(zhàn)略部署，在全國布局國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳、南京、蘇州、北京、山西、湖南6個分中心，山西平臺作為國創(chuàng)中心六大平臺的重要一環(huán)，對建立健全國家半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新體系，推動山西省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要作用。
中北大學(xué)相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，將立足自身優(yōu)勢資源，在本次國創(chuàng)中心建設(shè)中，配合牽頭單位拓展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條，開展產(chǎn)業(yè)先導(dǎo)的技術(shù)研發(fā)，通過項目牽引、產(chǎn)教融合，培養(yǎng)出一批服務(wù)于山西省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的骨干人才，成為山西省未來第三代半導(dǎo)體事業(yè)發(fā)展的中堅力量。
據(jù)介紹，中北大學(xué)在第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究方面有長期積累，開展了硅基GaN-HEMT、SiC基高溫集成電路、SiC高溫微納器件、SiC電力電子器件與系統(tǒng)等方面的研究。在器件設(shè)計方面，所依托的中北大學(xué)微納加工中心是國內(nèi)高校范圍內(nèi)技術(shù)先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝研發(fā)平臺。
同時，中北大學(xué)在半導(dǎo)體人才培養(yǎng)方面，具有深厚的團(tuán)隊基礎(chǔ)，充足的研發(fā)經(jīng)費，先進(jìn)的平臺條件和有效的培養(yǎng)模式，其通過半導(dǎo)體學(xué)院、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟和山西省實驗室等平臺的建設(shè),與中電科二所等山西省內(nèi)半導(dǎo)體龍頭企業(yè)共同開展了半導(dǎo)體裝備、半導(dǎo)體發(fā)光等領(lǐng)域重點研發(fā)計劃和揭榜掛帥項目研究。
此外，作為國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（山西）共建單位，中科潞安牽頭負(fù)責(zé)深紫外LED分中心建設(shè)，致力于核心芯片與器件、高端制備工藝、源頭技術(shù)創(chuàng)新、實驗室成果中試、應(yīng)用技術(shù)開發(fā)升級，支撐和推動我國第三代半導(dǎo)體深紫外LED產(chǎn)業(yè)重點突破和整體提升。
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