中國發(fā)力，半導(dǎo)體設(shè)備的瘋狂還將延續(xù)

全球芯片供不應(yīng)求的局面，使晶圓廠產(chǎn)能成為了香餑餑，相應(yīng)的商機也在向產(chǎn)業(yè)鏈上游傳導(dǎo)，特別是半導(dǎo)體設(shè)備，營收屢創(chuàng)新高。據(jù)SEMI統(tǒng)計，2022年，全球前端晶圓廠設(shè)備支出總額將較前一年增長18%，達到1070億美元的歷史新高，這已經(jīng)是連續(xù)三年大幅增長。SEMI指出，晶圓代工廠將是2022、2023年設(shè)備支出的大戶，約占全球總支出的50%，其次是存儲，約占35%。

水漲船高，半導(dǎo)體設(shè)備商的產(chǎn)能也隨之提升，SEMI的數(shù)據(jù)顯示，全球設(shè)備業(yè)產(chǎn)能連年增長，2021年提升7%后，今年將增長8%，2023年估計也會有6%的增幅。

作為全球半導(dǎo)體設(shè)備的主要消費市場，中國大陸在2020年的銷售額為187.2億美元，同比增長39.2%，占全球市場的26.3%，首次成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備消費市場。按照這樣的發(fā)展勢頭，預(yù)計中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額全球占比有望從 2021 年的28%提升到2023年的32%。由此測算，2021年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額約為287.8億美元，同比增長53.7%，2022年有望達到343億美元，同比增長19.2%。

全球格局

半導(dǎo)體設(shè)備可分為晶圓制造（前道設(shè)備）和封裝、測試設(shè)備（后道設(shè)備）。前道設(shè)備主要包括光刻機、刻蝕機、薄膜沉積、熱處理設(shè)備、離子注入機、CMP（化學(xué)機械研磨）設(shè)備、清洗機、前道檢測設(shè)備等。其中，薄膜沉積、光刻和刻蝕是前道晶圓制造的三大核心工藝。

在全球半導(dǎo)設(shè)備產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)中，前道設(shè)備在總銷售額中的占比約為85%，后端測試設(shè)備約為9%，封裝設(shè)備約為6%，這三個數(shù)據(jù)每年會有所微調(diào)，但變化不大，基本面是穩(wěn)定的。目前，全球前道設(shè)備市場主要由美日歐企業(yè)把持，幾家頭部設(shè)備大廠，如美國AMAT（應(yīng)用材料）占比約為17%，荷蘭ASML約為16.6%，日本TEL（東京電子）約為12.5%，美國Lam Research約為 11.2%，美國KLA約為6.3%，合計占比近64%。

在各細分領(lǐng)域，依然呈現(xiàn)出寡頭壟斷的局面。

光刻機，特別是EUV主要由ASML一家壟斷，占據(jù)83%的市場份額；刻蝕市場主要由Lam、TEL和AMAT三家把持，份額分別為45%、28%和18%；離子注入市場主要由AMAT、Axcelis和SMIT三家把持；薄膜沉積方面，PVD（物理式真空鍍膜）市場主要由AMAT一家壟斷，市場份額達85%的，CVD（化學(xué)式真空鍍膜）市場主要被AMAT、Lam和 TEL把持，份額分別為30%、26%和17%；熱處理市場由AMAT、TEL和Kokusai把持；涂膠顯影/去膠市場主要由TEL一家壟斷，份額達91%；清洗設(shè)備市場則被SCREEN、TEL 和Lam三家壟斷。

全球測試機市場被愛德萬、泰瑞達和Lam壟斷，三家的市占率分別為50%，40%和8%；全球封裝設(shè)備市場主要由ASM Pacific、K&S、Shinkawa、Besi把持。

中國半導(dǎo)體設(shè)備供給側(cè)亟待提升

中國大陸是全球三大半導(dǎo)體設(shè)備消費市場之一，然而，本土設(shè)備廠商的市占率卻很低。以2020年為例，國內(nèi)晶圓廠（包含三星、臺積電、SK海力士等國際大廠在中國大陸的晶圓廠）設(shè)備采購總額約為154億美元，其中，國產(chǎn)設(shè)備采購額僅為9.9億美元，占比僅7%，國產(chǎn)化率低、被國外巨頭壟斷的局面非常明顯。

2008 年之前，我國半導(dǎo)體設(shè)備基本全靠進口，因此，國家設(shè)立了國家科技重大專項——極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝科技項目（簡稱02專項）研發(fā)國產(chǎn)化設(shè)備。但是，由于設(shè)備制造對技術(shù)和資金需求要求比較高，只有北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、上海微電子等少數(shù)重點企業(yè)能夠承擔(dān) 02專項研發(fā)工作，整個行業(yè)集中度相對較高。雖然在02專項的支持下，我國半導(dǎo)體設(shè)備實現(xiàn)了從無到有，但相比國內(nèi)龐大的市場規(guī)模而言，自給率嚴重不足。

即使在發(fā)展水平相對較高的 IC 封裝測試領(lǐng)域，我國與先進國際水平相比仍然存在較大差距。而單晶爐、氧化爐、CVD 設(shè)備、磁控濺射鍍膜設(shè)備、CMP設(shè)備、光刻機、涂布/顯影設(shè)備、ICP等離子體刻蝕系統(tǒng)、探針臺等設(shè)備市場幾乎被國外企業(yè)所占據(jù)。

目前，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備處于局部有所突破，但整體較為落后的狀態(tài)。尤其與國際巨頭相比，本土設(shè)備企業(yè)的實力仍然偏弱，絕大部分企業(yè)無法達到國際上已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)的7nm工藝水平，部分企業(yè)突破到28nm或14nm工藝，但在使用的穩(wěn)定性上與國際巨頭差距較大，較難大批量進入量產(chǎn)線，也較難進入國際代工巨頭的生產(chǎn)線。

半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)技術(shù)壁壘非常高，隨著制程越來越先進，對半導(dǎo)體設(shè)備的性能和穩(wěn)定性提出了越來越高的要求，需要投入大量的研發(fā)資金。應(yīng)用材料公司一直保持著在研發(fā)上的高投入，其30%的員工為專業(yè)研發(fā)人員，擁有近12000項專利，平均每天申請4個以上的新專利。正是這種持續(xù)的高研發(fā)投入，促成了應(yīng)用材料的內(nèi)部創(chuàng)新，構(gòu)成了較高的技術(shù)壁壘。

由于半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)周期長、投入大。國產(chǎn)設(shè)備公司雖然在工藝制程上的研發(fā)已經(jīng)有所突破，但是與穩(wěn)定量產(chǎn)之間還有一定距離，非常關(guān)鍵的一點是要有試錯機會，試錯的周期通常長達一年甚至數(shù)年，而由于市場長期被國際大廠占據(jù)，國內(nèi)設(shè)備廠商很難得到應(yīng)用機會和發(fā)展空間。

設(shè)備用零部件存在短板

制造半導(dǎo)體設(shè)備需要多種零部件，半導(dǎo)體設(shè)備零部件及相關(guān)原材料市場規(guī)模也很可觀，2022 年有望超過300億美元。

據(jù)VLSI統(tǒng)計，半導(dǎo)體設(shè)備包括8類核心子系統(tǒng)：氣液流量控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、制程診斷系統(tǒng)、光學(xué)系統(tǒng)、電源及氣體反應(yīng)系統(tǒng)、熱管理系統(tǒng)、晶圓傳送系統(tǒng)、其它集成系統(tǒng)及關(guān)鍵組件，每個子系統(tǒng)都包含大量的零部件。

目前來看，半導(dǎo)體設(shè)備零部件市場被美日歐企業(yè)把持，美國占44%，日本占33%，歐洲占21%，主要廠商包括MKS、ICHOR、UCT、AE、Ferrotec等。

中國半導(dǎo)體設(shè)備零部件需要大量進口，目前只有腔體、機架等機械類實現(xiàn)了國產(chǎn)化，而電器類、氣體輸送系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、傳感器、儀器儀表、氣動系統(tǒng)等零部件以進口為主。在半導(dǎo)體晶圓制造流程中，閥類、密封圈、靜電吸盤、陶瓷類真空壓力計等零部件進口份額較大。其中，閥類費用約占耗材成本的10.6%，有較大的市場需求，但國內(nèi)供給側(cè)在該領(lǐng)域仍處于空白狀態(tài)。

中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備零部件供應(yīng)商中，排名前七的是：萬業(yè)企業(yè)，富創(chuàng)精密，新萊應(yīng)材，中科儀，江豐電子，華卓精科，神工股份。排名第一的萬業(yè)企業(yè)2021年營收約為9.2億元人民幣，第二的富創(chuàng)精密約為8.4億元。

那么，這些企業(yè)在全球同類廠商中處于怎樣的位置呢？以富創(chuàng)精密為例，該公司是全球為數(shù)不多的能夠為7nm制程工藝設(shè)備批量提供精密零部件的廠商，該公司2021年營收超過1億美元，但相比全球排名第一的MKS的29.5億美元，差距很大，即使與全球排名第五的Ferrotec（約10億美元）相比，差距也不小。

國產(chǎn)設(shè)備發(fā)展的契機和希望

雖說中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備廠商的技術(shù)和市占率還無法與國際大廠抗衡，但國內(nèi)巨大的市場需求，以及國家政策、資金的大力支持，再有，近些年國產(chǎn)替代意識和意愿的加強，給本土半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)的發(fā)展提供了強大動力和樂觀的市場預(yù)期，并在多個設(shè)備領(lǐng)域取得了不俗的成績。

首先看刻蝕設(shè)備?？涛g工藝位于薄膜沉積和光刻之后，目的是利用化學(xué)、物理、光學(xué)反應(yīng)將晶圓表面附著的不必要的物質(zhì)去除，反復(fù)多次，最終得到構(gòu)造復(fù)雜的集成電路。國內(nèi)的刻蝕設(shè)備企業(yè)主要是中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體和中電科。其中，中微半導(dǎo)體在 CCP刻蝕領(lǐng)域具備明顯優(yōu)勢，在邏輯芯片制造方面，該公司的CCP刻蝕設(shè)備已經(jīng)進入國際知名晶圓代工廠的先進制程產(chǎn)線，用于7nm/5nm芯片的生產(chǎn)；在3D NAND芯片制造方面，該公司的CCP刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64層堆疊芯片的量產(chǎn)，并且正在開發(fā)96層及更先進的刻蝕設(shè)備。

光刻機方面，與國際高水平有很大差距，雖說上海微電子可以生產(chǎn)光刻機整機，華卓精科和國科精密等可以生產(chǎn)光刻機零部件，但仍不具備EUV，以及先進DUV設(shè)備的生產(chǎn)能力，能支持的最高制程工藝仍為90nm。

薄膜沉積是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴散，以及在適當(dāng)?shù)奈恢孟戮劢Y(jié)，以漸漸形成薄膜并成長的過程，分為原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)、化學(xué)式真空鍍膜(CVD)等。我國的薄膜沉積設(shè)備代表廠商是北方華創(chuàng)和拓荊科技，其中，北方華創(chuàng)已實現(xiàn)PVD、CVD、ALD設(shè)備在28nm/14nm技術(shù)領(lǐng)域的突破。

熱處理方面，主要包括氧化、擴散和退火工藝。國內(nèi)的氧化擴散設(shè)備生產(chǎn)商主要包括北方華創(chuàng)和屹唐半導(dǎo)體。近些年，北方華創(chuàng)市占率逐年上升，例如，截至2020年10月，北方華創(chuàng)熱處理設(shè)備在長江存儲的占比已經(jīng)超過了30%。

CMP是一種表面全局平坦化技術(shù)，系統(tǒng)主要由拋光設(shè)備、拋光液和拋光墊三個部分組成。國內(nèi)CMP設(shè)備廠商主要有華海清科和北京爍科精微電子，華海清科是國內(nèi)唯一一家實現(xiàn)12英寸CMP設(shè)備量產(chǎn)的廠商。

去膠設(shè)備方面，屹唐半導(dǎo)體在國內(nèi)占主導(dǎo)地位，此外，芯源微和中電科45所也可以生產(chǎn)去膠機。目前，我國去膠設(shè)備的國產(chǎn)率已經(jīng)超過90%，基本實現(xiàn)了國產(chǎn)替代。

清洗步驟貫穿整個半導(dǎo)體生產(chǎn)流程，用于去除硅片制備、晶圓制造和封裝測試等步驟中可能存在的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響芯片良率和性能。國內(nèi)主要清洗設(shè)備廠商包括盛美、北方華創(chuàng)、芯源微和至純科技。

在后道設(shè)備方面，國內(nèi)測試機廠商主要包括華峰測控和長川科技，華峰測控在國內(nèi)模擬測試機市占率接近60%。封裝設(shè)備方面，國內(nèi)具備制造能力的企業(yè)主要有中電科45所、艾科瑞斯和大連佳峰。

加大研發(fā)投入力度

2021年，主要國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商合計銷售額約為240億元人民幣，同比增長56%，北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、盛美上海、華峰測控、長川科技、芯源微的凈利潤增速均顯著高于收入增速。北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、盛美上海等在原有成熟設(shè)備基礎(chǔ)上進一步放量，萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通實現(xiàn)離子注入機0-1突破，芯源微多款涂膠顯影設(shè)備在客戶端進展順利。

目前，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商處于高速發(fā)展期，半導(dǎo)體設(shè)備的高技術(shù)壁壘屬性要求廠商持續(xù)投入大量資金用于研發(fā)。例如，北方華創(chuàng)2021年研發(fā)投入28.9億元，在國內(nèi)遙遙領(lǐng)先。拓荊科技研發(fā)投入占比38%，北方華創(chuàng)研發(fā)投入占比30%，中微半導(dǎo)體和長川科技占比23%，都處于高強度研發(fā)投入階段。

在半導(dǎo)體設(shè)備這個技術(shù)和資金密集的重資產(chǎn)領(lǐng)域，高投入才能有高產(chǎn)出，引擎加速后，相信國產(chǎn)設(shè)備能夠在相對短的時間內(nèi)，邁上一個新臺階。

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