延續(xù)摩爾定律，新型半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)現(xiàn)新突破
延續(xù)摩爾定律，新型半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)現(xiàn)新突破
據(jù)媒體報(bào)道，日前，一支由南洋理工大學(xué)、北京大學(xué)、清華大學(xué)和北京量子信息科學(xué)研究院的研究人員最近展示了利用范德華力成功地將單晶滴定鍶一種高K鈣鈦礦氧化物）與二維半導(dǎo)體集成，這種方法可以為開(kāi)發(fā)新型晶體管和電子元件開(kāi)辟新的可能性。
據(jù)悉，晶滴定鍶是一種鈣鈦礦氧化物，此前已發(fā)現(xiàn)將鈣鈦礦氧化物與具有不同原子結(jié)構(gòu)的材料結(jié)合起來(lái)幾乎是不可能的。但該團(tuán)隊(duì)采用的智能方法成功繞過(guò)這一限制，可以實(shí)現(xiàn)幾乎無(wú)限的材料組合。
研究人員表示，他們創(chuàng)造的晶體管可用于制造高性能和低功耗互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體逆變器電路。未來(lái)，他們的設(shè)備可以大規(guī)模制造，用于開(kāi)發(fā)低功耗的邏輯電路和微芯片。
值得一提的是，除了國(guó)內(nèi)多所高校參與的2D半導(dǎo)體項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了新的突破之外，韓國(guó)在該領(lǐng)域的發(fā)展也迎來(lái)了新的進(jìn)展。
近日，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）宣布，由光電材料與器件中心的Do Kyung Hwang博士和物理系的Kimoon Lee教授領(lǐng)導(dǎo)的聯(lián)合研究小組通過(guò)開(kāi)發(fā)新型超薄電極材料（Cl-SnSe2），成功實(shí)現(xiàn)了基于二維半導(dǎo)體的電子和邏輯器件，其電氣性能可以自由控制。
這項(xiàng)研究攻克了費(fèi)米能級(jí)釘扎（Fermi-level pinning）現(xiàn)象下，傳統(tǒng)二維半導(dǎo)體器件很難實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)邏輯電路的難題（僅表現(xiàn)N型或P型器件的特性）。利用這種新的電極材料，單個(gè)器件可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)N型和P型器件的功能，從而形成一種高性能、低功耗、互補(bǔ)邏輯的邏輯電路。
Do Kyung Hwang博士預(yù)計(jì)，這種新型的二維電極材料非常薄，具有高透光率和柔韌性，因此，它們可應(yīng)用于下一代柔性透明半導(dǎo)體器件中。而這一發(fā)展將有助于加速人工智能系統(tǒng)等下一代系統(tǒng)技術(shù)的商業(yè)化。
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