基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 溝道小信號(hào) Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí) DSN1006 封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的 RDS(on) 特性，在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。
新型 MOSFET 非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽(tīng)器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì)，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。
RDS(on) 與競(jìng)爭(zhēng)器件相比性能提升了 25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低，從而增強(qiáng)可穿戴設(shè)備的用戶(hù)舒適度。
具體而言，在 VGS = 4.5V 時(shí)，PMCB60XN 和 PMCB60XNE的最大 RDS(on) 分別為 50mΩ 和 55mΩ。因此，在市場(chǎng)上類(lèi)似的 30V MOSFET 中， PMCB60XN 和 PMCB60XNE 單個(gè)芯片面積導(dǎo)通電阻最低。此外，PMCB60XNE 在集成于 1.0mm ×0.6mm×0.2mm 的 DSN1006 小型外形中，還可提供額定 2kV ESD 保護(hù)（人體模型 – HBM）。這兩款 MOSFET 的額定漏極電流最高均可達(dá) 4A。
除了采用 DSN1006 封裝的這兩款 MOSFET 外，Nexperia（安世半導(dǎo)體）還推出了一款采用 DSN1010 封裝的 12V N 溝道 Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在 VGS = 4.5 V 時(shí)的最大 RDS(on)為16mΩ，在 0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007） 尺寸下可具備市場(chǎng)領(lǐng)先的效率。
