SK海力士成功研發(fā)新存儲芯片處理速度提升50%
發(fā)布時間：2019-08-14發(fā)布人：
SK海力士成功研發(fā)新存儲芯片處理速度提升50%
出自：韓國中央日報中文網(wǎng)
SK海力士8月12日宣布，公司開發(fā)出了業(yè)界處理速度最快的新一代存儲芯片HBM新產(chǎn)品“HBM2E”(見照片)。HBM是高帶寬存儲器(High Bandwidth Memory)的縮寫，數(shù)據(jù)處理速度比傳統(tǒng)的DRAM有了革命性提升。
SK海力士當(dāng)日宣布開發(fā)成功的HBM2E數(shù)據(jù)處理速度比之前的規(guī)格(HBM2)快50%，每秒可處理460GB數(shù)據(jù)，相當(dāng)于每秒可處理124部高清電影(3.7GB)。
HBM2E的超快數(shù)據(jù)處理速度可以廣泛應(yīng)用到需要高性能數(shù)據(jù)處理的圖形處理(GPU) 機器學(xué)習(xí) 、超級計算機、人工智能(AI)等新技術(shù)領(lǐng)域。
不同于傳統(tǒng)DRAM，HBM是將半導(dǎo)體本身以數(shù)十微米(1微米等于一百萬分之一米)的間距貼附在邏輯芯片上，可以無需母版，縮短芯片之間的距離，從而提高數(shù)據(jù)處理速度。
SK海力士HBM事業(yè)戰(zhàn)略負責(zé)人全俊賢(音)表示，“將從HBM2E市場正式打開的2020年開始量產(chǎn)，強化在高端存儲芯片市場的領(lǐng)先優(yōu)勢”。
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