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外媒：三星計劃本月開設(shè)NAND閃存新研發(fā)中心

據(jù)外媒《BusinessKorea》8月17日報道，三星預(yù)計將在今年內(nèi)發(fā)布236層NAND閃存產(chǎn)品。此外，三星還計劃在本月開設(shè)一個新的研發(fā)中心，該中心將負(fù)責(zé)開發(fā)更先進(jìn)的NAND閃存產(chǎn)品。

自2020年三星推出176層第七代V-NAND閃存之后，三星目前的層數(shù)記錄是176層。

NAND廠商們正在競相增加其層數(shù)。SK海力士于今年8月初完成了業(yè)界最高238層4D NAND閃存研發(fā)，并計劃在2023H1量產(chǎn)。

美光科技于今年7月宣布，公司已開發(fā)出232層NAND閃存產(chǎn)品，產(chǎn)品現(xiàn)已在美光新加坡工廠量產(chǎn)。未來，美光還將發(fā)力2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)。

西部數(shù)據(jù)與鎧俠于去年合作開發(fā)出162層的BiCS6 FLASH? 3D NAND，并計劃2022年底前開始量產(chǎn)。未來，西數(shù)/鎧俠將發(fā)力200+層（2XX層）閃存技術(shù)，2032年之前還將陸續(xù)推出300層以上、400層以上與500層以上閃存技術(shù)。

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