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                                                     臺灣第三代半導體新進展！太極子公司4吋半絕緣SiC襯底開始送樣！
                                                                             來源：化合物半導體市場

       據(jù)最新消息，臺灣太陽能廠商太極旗下盛新材料于昨日（8月9日）宣布，其 4吋半絕緣SiC襯底已送樣驗證，力爭今年底量產(chǎn)。

       目前盛新材料擁有16臺長晶爐，其中1臺和集團母公司廣運共同研發(fā)成功的長晶爐，單月有效產(chǎn)量達400片。

       SiC襯底進入量產(chǎn)前，須經(jīng)過三階段測試驗證，通常為期一年時間，第一階段為送樣測試；第二階段為試產(chǎn)；第三階段則進入每月百片以上量產(chǎn)規(guī)模測試。且通常在進入第二階段時，客戶便會提前預定產(chǎn)能。

      大尺寸SiC長晶技術(shù)方面，盛新已掌握6吋晶錠從熱場模擬、材料、制程的擴晶技術(shù)，未來將直接切入6吋SiC襯底。

      另一方面，臺灣知名硅晶圓大廠環(huán)球晶圓的化合物半導體業(yè)務也在積極跟進，日前涉足SiC襯底和GaN外延片。

      其SiC襯底集中在6吋導電型，目前月產(chǎn)能逾2,000片，年底會擴至5,000片；GaN-on-Si外延片月產(chǎn)能2,000片，以6吋產(chǎn)品為主；而在GaN-on-SiC外延片方面，因難度較高，目前以4吋片小批量出貨。

       值得注意的是，環(huán)球晶圓下半年將合并德國Siltronic，兩者的GaN-on-Si技術(shù)或?qū)⑸疃热诤稀Ｍ瑫r，此次收購后，預計環(huán)球晶圓將成為全球第二大硅晶圓廠，甚至有可能超過日本信越躍居第一。

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