國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET通過車企和Tier1廠商測試
國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET通過車企和Tier1廠商測試
近日，清純半導(dǎo)體推出了1200V/14mΩ SiC MOSFET 產(chǎn)品-S1M014120H，并通過了車企和tier1廠商的測試。S1M014120H具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，其靜態(tài)導(dǎo)通特性和動(dòng)態(tài)開關(guān)特性均達(dá)到了國際一流水平，可應(yīng)用于新能源汽車電機(jī)控制器、大功率充電模塊、光伏逆變器以及大功率儲能等領(lǐng)域，S1M014120H的推出填補(bǔ)了國內(nèi)在該領(lǐng)域的產(chǎn)品空白。
S1M014120H主要靜態(tài)參數(shù)與國際一流產(chǎn)品(源于各產(chǎn)品規(guī)格書)對比如下表所示：
對比看出，S1M014120H可以在更大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍內(nèi)工作，以適應(yīng)不同驅(qū)動(dòng)電路的開發(fā)需求。其最高允許工作結(jié)溫為175℃，進(jìn)一步提升器件的載流能力，有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，其靜態(tài)參數(shù)達(dá)到國際一流水平。
同時(shí)，清純半導(dǎo)體與國內(nèi)領(lǐng)先的功率模塊供應(yīng)商緊密合作，根據(jù)新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的具體需求(1200V/800A)，對采用S1M014120H和國際主流廠家同規(guī)格SiC芯片制造的多芯片并聯(lián)功率模塊在常溫及高溫的開關(guān)性能做了詳細(xì)表征，采用S1M014120H制造的模塊的常溫和高溫情況下關(guān)斷和導(dǎo)通特性如下圖所示：
與采用國際主流芯片制造的模塊測試結(jié)果對比，采用S1M014120H的模塊呈現(xiàn)波形平滑、高頻振蕩阻尼效應(yīng)突出、開關(guān)能量低的特點(diǎn)，更加適合電機(jī)控制器與充電模塊這類對效率及電磁兼容性有更高要求的應(yīng)用。在開關(guān)波形特性及能量損耗方面，清純半導(dǎo)體推出的S1M014120H已具備國際一流水平。
清純半導(dǎo)體憑借雄厚的技術(shù)實(shí)力，不斷取得SiC MOSFET研發(fā)及產(chǎn)品應(yīng)用的突破，4月量產(chǎn)首款國產(chǎn)15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET，8月推出國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，目前不同規(guī)格的SiC MOSFET產(chǎn)品已規(guī)模應(yīng)用到光伏、電源和OBC領(lǐng)域。公司不但始終瞄準(zhǔn)國際技術(shù)前沿，更是注重產(chǎn)品質(zhì)量控制，建有完整的質(zhì)量控制體系和可靠性實(shí)驗(yàn)室，1200V量產(chǎn)SiC MOSFET 系列產(chǎn)品已通過AEC-Q101測試，新研發(fā)產(chǎn)品可靠性測試均順利進(jìn)行中。
自我國確立“雙碳”目標(biāo)以來，新能源產(chǎn)業(yè)步入跨越式發(fā)展階段，這為以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爆發(fā)提供了寶貴的歷史機(jī)遇。我國擁有全球最大的電動(dòng)車市場，由于碳化硅功率器件可明顯提升新能源汽車的功率密度、能效和續(xù)航里程，預(yù)計(jì)2～3年后SiC MOSFET將廣泛應(yīng)用于新能源車主驅(qū)。性能與可靠性比肩國際主流產(chǎn)品，且能夠適用于電動(dòng)車主驅(qū)的低導(dǎo)通電阻國產(chǎn)SiC MOSFET芯片將成為行業(yè)的迫切需求，市場潛力巨大。清純半導(dǎo)體已從技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品量產(chǎn)、質(zhì)量管控、產(chǎn)能供應(yīng)等方面做好全方位準(zhǔn)備，致力推動(dòng)SiC MOSFET國產(chǎn)化，支撐我國新能源汽車快速發(fā)展，助力國家實(shí)現(xiàn)“雙碳”戰(zhàn)略的宏偉目標(biāo)。
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