十大半導(dǎo)體廠商，資本支出大砍6000億

全球芯片業(yè)景氣下行，包括臺積電在內(nèi)的十大半導(dǎo)體廠大砍今、明年資本支出，合計直逼新臺幣6,000億元，是半導(dǎo)體業(yè)史上最大資本支出修正潮，當(dāng)中不乏二度下修的廠商，凸顯當(dāng)下市況嚴(yán)峻。

目前已公布修正資本支出的十大半導(dǎo)體廠包括臺積電、英特爾、SK海力士、美光、聯(lián)電、力積電、南亞科、日月光、旺宏、力成等中國臺灣外指標(biāo)廠，業(yè)務(wù)范圍涵蓋晶圓代工、記憶體、封測等三大重點領(lǐng)域。其中，臺積電、SK海力士、美光縮減資本支出金額都超過新臺幣千億元，力積電、聯(lián)電也達(dá)百億元以上。

法人指出，最近是國際大廠財報密集公布期，接下來宣布縮減資本支出的半導(dǎo)體廠只會更多，整體資本支出減少金額也會持續(xù)上升。

晶圓代工龍頭臺積電二度下修今年資本支出，由原訂約400億美元降至360億美元，減少40億美元（約新臺幣1,285.6億元），以反映近期半導(dǎo)體市場不確定因素。至于2023年資本支出，臺積電尚未揭露。

聯(lián)電、力積電因應(yīng)產(chǎn)能利用率下滑，也都調(diào)降資本支出，聯(lián)電由原訂36億美元降至30億美元，減少約6億美元（約新臺幣192.8億元），但強調(diào)南科和新加坡廠產(chǎn)能布建仍持續(xù)進(jìn)行。力積電原訂今年資本支15億美元，最新下修至8.5億美元，減少約6.5億美元（約新臺幣208.9億元）。

英特爾面臨PC低潮壓力，本會計年度資本支出由270億元降至250億美元，減少20億美元（約新臺幣642.8億元）。

南韓記憶體芯片大廠SK海力士今年資本支出估計達(dá)10兆至20兆韓元，估計實際金額會達(dá)預(yù)期高標(biāo)。受制記憶體景氣下滑，SK海力士第3季獲利驟降60%，并預(yù)告「目前持續(xù)供過于求」，計劃明年削減50%以上投資支出，估算整體縮減幅度將高達(dá)10兆韓元（約70.4億美元、新臺幣2,262.6億元），縮減金額為十大廠之冠。

美光也深受存儲器景氣疲軟沖擊，公司預(yù)告正在采取行動，以擺脫當(dāng)前的「前所未見」市場下行循環(huán)，包括大砍全年資本支出逾30%，預(yù)期年度資本支出將約為80億美元，減少約35億美元（約新臺幣1,124.9億元）。

臺灣存儲器相關(guān)業(yè)者也跟進(jìn)下修資本支出。南亞科二度調(diào)降資本支出，由284億元降至220億元，降幅約22.5%。旺宏今年資本支出也由原訂的160億元，下修至106億元，降幅33.8%，本季也將減產(chǎn)。

三星反其道而行！

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣刮起寒風(fēng)，從記憶體同業(yè)美光、SK 海力士，再到晶圓代工競爭對手臺積電、英特爾，無一不減產(chǎn)或下調(diào)資本支出，不過，三星為在先進(jìn)制程技術(shù)上與臺積電較勁、擴(kuò)大成熟制程市占率，及鞏固記憶體業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，在悲觀氛圍壟罩下仍不為所動，趁市場不景氣時逆勢投資。

記憶體產(chǎn)業(yè)受此波景氣下滑沖擊最劇烈，成為下修資本支出的海嘯第一排。美光開出記憶體產(chǎn)業(yè)第一槍，宣布將2022 年度(至2023 年8 月) 資本支出大砍至少3 成，并將晶圓設(shè)備支出削減5 成；SK 海力士預(yù)期記憶體供過于求情況將持續(xù)，以市況惡化「前所未見」為由，將明年資本支出大砍逾一半。

過去2 年，因產(chǎn)業(yè)景氣暢旺，晶圓代工廠大舉啟動各項擴(kuò)產(chǎn)或擴(kuò)廠計劃，如今也受大環(huán)境影響而下調(diào)。臺積電將今年資本支出由近400 億元、再下修至360 億美元，相較年初預(yù)估值下修幅度達(dá)2 成；英特爾也計劃削減2023 年銷售與營運成本30 億美元，到2025 年底前每年節(jié)省金額達(dá)80-100 億美元。

不過三星認(rèn)為，雖然目前市場需求減少，但因應(yīng)中長期需求復(fù)蘇，不考慮人為減產(chǎn)，今年資本支出仍預(yù)估為54 兆韓元，按既定計劃進(jìn)行。由于產(chǎn)業(yè)縮減投資幾乎已成「新趨勢」，三星卻不隨波逐流、背道而馳，格外引起市場關(guān)注。

晶圓代工產(chǎn)業(yè)需要龐大的資本投資，三星今年整體資本支出預(yù)估54 兆韓元，但旗下?lián)碛斜姸嗍聵I(yè)體，資源相對分散，反觀臺積電，今年光在晶圓代工領(lǐng)域就砸下超過50 兆韓元。

三星近年來更積極在先進(jìn)制程領(lǐng)域上追趕臺積電，今年6 月?lián)屜刃剂慨a(chǎn)3 納米技術(shù)，且隨著先進(jìn)制程技術(shù)推進(jìn)，晶圓廠建設(shè)成本更加高昂，為與臺積電持續(xù)較勁，三星資本支出投入勢必不能手軟。

另一方面，就晶圓代工市占率來看，臺積電遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前三星、市占率超過5 成，主要原因在于臺積電主導(dǎo)成熟/ 特殊制程領(lǐng)域，以龐大的產(chǎn)能致勝；為與臺積電搶生意，三星近期也宣布將聚焦強化成熟與特殊制程，并擴(kuò)大相關(guān)產(chǎn)能、2027 年要較2018 年成長2.3 倍。

記憶體方面，盡管市場面臨供過于求困境，三星仍表態(tài)不考慮人為減產(chǎn)，市場認(rèn)為，三星計劃利用此次產(chǎn)業(yè)景氣遭遇寒冬之際，挾資本優(yōu)勢蠶食SK 海力士、鎧俠等其他大廠市占率，鞏固產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位。

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