晶圓濕法蝕刻清洗工藝及流量控制研究
對比兩種集成電路制造濕法工藝設備的優(yōu)缺點及未來發(fā)展趨勢，對影響單片濕法清洗工藝中蝕刻率因素進行分析總結，介紹化學藥液混合和制程噴吐中流量控制技術的發(fā)展，設計實驗將兩種化學藥液流量控制閥件的蝕刻清洗效果對比，并對未來技術發(fā)展進行簡要分析。集成電路線工藝不斷進步，對工藝過程中的晶圓潔凈度要求越來越高，濕法蝕刻清洗工藝是半導正面噴頭體制造工藝步驟中數(shù)量最多工藝。
因此，濕法清洗晶圓設備能力的好壞直接影響產品的良率。單片濕式清基座洗設備正逐漸成為半導體硅片制造清洗工藝主流設(a）備，蝕刻量是濕法最重要的工藝控制參數(shù)之一，影響蝕刻量的三大因素（化學藥液溫度、化學藥液濃度、化學藥液流量），后兩者都與流量控制密切相關。
1 濕法清洗設備及單片清洗機臺優(yōu)勢
摩爾定律不斷接受新的挑戰(zhàn)，濕法蝕刻清洗設備也在不斷進步，現(xiàn)有濕法清洗設備按清洗方式可分為批次清洗設備（BenchClean），如圖，和單片清洗設備（SingleWaferClean），如圖1(b)。一顆芯片顆粒的制作工藝要經過數(shù)千道工序，納米級數(shù)的不斷縮小，工藝數(shù)量仍在增加，所以如果晶圓的尺寸越大，經過同樣的工藝往往可得到更多的芯片顆粒，因此晶圓大小從6in到8in再到12in。在厚度不變的前提下，晶圓尺寸變大隨之而來的弊端是更容易破片，且對蝕刻清洗的均勻度（Uniformity，U%）把控難度更大。對于Bench機臺來說，破片的影響是致命的，單片的破碎可能導致整批50片晶圓的報廢；隨著技術的進步單片清洗機可以調節(jié)噴嘴的位置以及卡盤轉速，在晶圓表面不同位置進行化學藥液的噴吐，達到更好的蝕刻清洗均勻度。
單片清洗設備最大的缺點是生產速率（ThroughPut）低，但隨著設備制程腔室的增加，從4腔→8腔→12腔→24腔，單片濕法清洗機的生產速率已經和Bench機臺基本持平甚至反超，因此未來單片濕法清洗機臺必然是清洗設備的主流。Singlewaferclean制程腔室示意如圖，晶圓卡盤（Waferchuck）固定并帶動wafer旋轉，通過正反面噴吐的化學藥液來蝕刻清洗晶圓。
2 影響單片濕法清洗設備蝕刻率的因素
濕法清洗的目的是去除晶圓上前一道工序殘留或者副產物，使之不進入后續(xù)工序。一般通過化學藥液與晶圓表面去除物的反應，或不同特性的化學清洗液處理以后的晶圓表面親水性質改變，表面電荷改變，達到去除殘留物的目的。其化學反應強烈程度與溫度、濃度、化學藥液的反應量密切相關，而蝕刻量是檢測化學反應強烈程度的重要手段。檢測蝕刻量的三個重要指標平均值（Mean）、蝕刻量極差值（Range）、蝕刻均勻度（Uniformity，U%）是檢測蝕刻量的重要指標。U%計算方法如式（1。
其中，Emax是最大蝕刻量（Max Etch Amount),Emin是最小蝕刻量（MinEtchAmount），Average是蝕刻量平均值。
RCA清洗工藝被廣泛應用于濕法蝕刻清洗機中，當化學藥液溫度和濃度一定的情況下，通過反應量來控制蝕刻量，廣義上反應量是化學藥液流量與噴涂時間的乘積，化學藥液混合濃度也是通過精準的流量控制達到的。
3 濕法 Singlewaferclean流量控制
3.1濕法清洗流量控制發(fā)展
基于反饋調節(jié)的流量控制，用電磁流量計結合線性電機控制閥來進行，可以實現(xiàn)精度為0.01mL/min的流量控制如圖2所示。
為了保證均勻的蝕刻率Singlewaferclean對廠務供應過來的化學原液，通常被混合系統(tǒng)稀釋或者混合成特定比例的process chemical，再經過循環(huán)供應系統(tǒng)供應到制程腔室，最早singlewafer循環(huán)系統(tǒng)參照Bench機臺，即分別經過藥液桶槽，泵，穩(wěn)流器，壓力計，加熱器，過濾器，流量計，再走向供應系統(tǒng)，如圖3所示。
3.2流量反饋控制邏輯
腔室（Chamber）端調節(jié)噴吐流量的閥件最早采用手動調節(jié)針閥，在腔室數(shù)量較少的情況下，經過工程師熟練的調節(jié)往往可以達到制程需要的穩(wěn)定流量，現(xiàn)某些對流量精度要求不高地方仍在沿用（如ChamberAuto Clean）。隨著電動針閥的技術不斷進步，其通過對脈沖參數(shù)設定達到控制閥件的開度目的，對于流量調節(jié)效率大大提升，漸漸取代了手動針閥。但是隨著技術進步，對流量的精度要求越來越高，且SingleWaferclean制程腔室數(shù)量增加，不同chamber同時使用時壓力波動大，僅僅依靠電動針閥調節(jié)流量已不能達到需求（開環(huán)調節(jié)控制）。因此自動反饋調節(jié)技術應用到流量控制，通過PID（比例積分微分）對應參數(shù)的設定，電動調節(jié)針閥針對流量計反饋過來的流量信號自動調節(jié)開度大小實現(xiàn)了流量穩(wěn)定控制（閉環(huán)反饋控制），極大的保證了流量控制的精度。
應用10nm濕法清洗蝕刻制程工藝機臺流量控制舉例如圖4所示，圖中，W代表設定點默認值(set-pointdefaultvalue），Y代表脈沖和控制輸出信號（Pulse and control output signal)，X代表（實際藥液循環(huán)供應值）,Controller用于接收Flowsensor檢測到的流速，并與設定值進行對比，將得出的數(shù)據進行處理發(fā)送給MN（motorneedlevalve)。Flow sensor用超聲常閉氣動閥波檢測的方式檢測流速，將實際的流速值轉化成電藥液循環(huán)回流信號，發(fā)送到controller。Motor needle valve在接收到由controller發(fā)出的調節(jié)閥的信號后，MN作動，使流速控制在設定值。
化學藥液向制程腔室內供給順序是腔室3一腔室2一腔室1，當化學藥劑進入腔室3后，再進入腔室2的流量就會減小，需靠調節(jié)閥的開度來使之后進入腔室2與腔室1的化學藥液的流量。例如，某道制程工藝有三種不同的流量需求（300、600、1000mL/min)，圖5中供應管線就有0~3000mL/min區(qū)間內24種不同流量供應開度組合如表1。同一供應管路上的制程腔室還會相互影響，因此還需要恒定的壓力和與之相應的壓力檢測系統(tǒng)。
4 不同流量控制閥件清洗效果對比
為了保證實驗結果的準確性，實驗背景為：化學藥液為1：200稀釋氫氟酸（DHF），25℃，中心噴吐，wafer轉速1000r/min逆時針，其他環(huán)境條件一致境況下，300mm晶圓控片45nm級以上顆粒物數(shù)量檢測。
A機臺為某12腔機型（UltraC)，采用手動針閥調節(jié)，任意挑選三個制程腔室；B機臺為某12腔型號（SU3200），采用自動反饋針閥調節(jié)，任意挑選三個制程腔室；流量條件分別為1000、1500和2000mL/min下，清洗10s后殘余顆粒物數(shù)量，結果如圖6所示。結果顯示在其他條件相同情況下采用自動反饋針閥調節(jié)清洗效果顯著優(yōu)于手動針閥調節(jié)。
5 濕法蝕刻清洗流量控制技術發(fā)展方向
在應用內外循環(huán)流量控制的技術前提下，電動調節(jié)針閥加反饋調節(jié)的機制，理想狀態(tài)下可以將液體流量中段部分的流量控制在土2%以內，但是初段和末段的流量穩(wěn)定性依然無法很好的控制，這是由于閥件的結構動作和液體的“水錘效應”共同影響的結果，這不利于不同流量之間的快速切換控制，初段和末段的流量的控制必然是未來流量控制研究的重點方向之一。
對于初段流量控制應“提升的快，提升的穩(wěn)”，關鍵是要減少流量爬坡時間，降低第一峰值與目標流量值之間的差值；初始流量預排以及前端管路抽真空技術或可應用于其上。對于末端流量的控制應“停的快而干脆”，液體的“水錘效應”會拉長流量的末端降低時間，目前各類噴頭液體回吸技術正在應用于各類新型設備中，關鍵要降低“水錘效應”的影響（圖7）。
6 結語
單片式濕法清洗機必然是濕法晶圓清洗工藝的主要設備，其清洗對流量的控制精度要求越來越高，使用自動反饋調節(jié)技術可以實現(xiàn)較高的流量精度控制要求，隨著集成電路納米級數(shù)的迭代，對清洗技術的流量要求將更加嚴苛，化學藥液噴頭的目標流量將會多種，如何能夠迅速進行目標流量切換，是流量控制技術未來發(fā)展的方向，這也是儀器裝備精度保障的重要技術領域。
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