盛美半導(dǎo)體推出首臺(tái)應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝的電鍍?cè)O(shè)備
盛美半導(dǎo)體推出首臺(tái)應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝的電鍍?cè)O(shè)備
來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察
8月26日，據(jù)盛美半導(dǎo)體設(shè)備公司（以下簡(jiǎn)稱“盛美半導(dǎo)體”）官微消息，盛美半導(dǎo)體發(fā)布新產(chǎn)品——Ultra ECP GIII電鍍?cè)O(shè)備，以支持化合物半導(dǎo)體(SiC,GaN)和砷化鎵(GaAs)晶圓級(jí)封裝。
盛美半導(dǎo)體稱，這是首臺(tái)應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體制造中晶圓級(jí)封裝和電鍍應(yīng)用的電鍍?cè)O(shè)備。
圖片來(lái)源：盛美半導(dǎo)體官微
據(jù)官微介紹，該系列設(shè)備能將金（Au）鍍到背面深孔工藝中，具有更好的均勻性和臺(tái)階覆蓋率。Ultra ECP GIII配備全自動(dòng)平臺(tái)，支持6英寸平邊和V型槽晶圓的批量工藝，同時(shí)結(jié)合盛美半導(dǎo)體的第二陽(yáng)極和高速柵板技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)最佳性能。
盛美半導(dǎo)體的Ultra ECP GIII設(shè)備通過(guò)兩項(xiàng)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)性能優(yōu)勢(shì)：盛美半導(dǎo)體的第二陽(yáng)極和高速柵板技術(shù)。第二陽(yáng)極技術(shù)可通過(guò)有效調(diào)整晶圓級(jí)電鍍性能，克服電場(chǎng)分布差異造成的問(wèn)題，以實(shí)現(xiàn)卓越的均勻性控制?？蓱?yīng)用于優(yōu)化晶圓邊緣區(qū)域圖形和V型槽區(qū)域，實(shí)現(xiàn)3%以內(nèi)的電鍍均勻性。
據(jù)披露，盛美半導(dǎo)體的Ultra ECP GIII已取得來(lái)自中國(guó)化合物半導(dǎo)體制造商的兩個(gè)訂單。第一臺(tái)訂單設(shè)備采用第二陽(yáng)極技術(shù)的銅-鎳-錫-鍍銀模塊，且集成真空預(yù)濕腔體和后道清洗腔體，應(yīng)用于晶圓級(jí)封裝，已于上月交付。第二臺(tái)訂單設(shè)備適用于鍍金系統(tǒng)，將于今年下一季度交付客戶端。
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