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       近日，山西省商務(wù)廳發(fā)文指出，第三代半導(dǎo)體SiC實驗室項目方負責(zé)人修雷明與陽城開發(fā)區(qū)初步達成了意向性合作協(xié)議。

△Source：山西省商務(wù)廳網(wǎng)站截圖

       據(jù)悉，該項目總投資175億元，占地300畝。啟動資金8000萬元，建設(shè)實驗室、測試中心、長晶房、辦公區(qū)等約2000平方米，形成月產(chǎn)5000片碳化硅功率芯片制造能力。項目核心團隊是由著名半導(dǎo)體技術(shù)專家組成，掌握250多個專利，覆蓋原材料制造、芯片制造、IC設(shè)計、SiP封裝等領(lǐng)域，處于全球領(lǐng)先技術(shù)水平。

       至于該項目的投資方及其他具體細節(jié)，文章中則并未提及。

       碳化硅是全球最先進的第三代半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、高頻、大功率等優(yōu)良的物理特性，是衛(wèi)星通信、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通信基站等重要領(lǐng)域的核心材料，尤其是在航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域里有著不可替代的優(yōu)勢。

       “十三五”以來，山西省第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展壯大，山西省省工信廳新材料工業(yè)處處長閆林此前介紹，山西在第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底材料處于國際領(lǐng)先水平，2020年銷售3萬余片，國內(nèi)市場占有率達50%以上。 

       據(jù)悉，山西省擁有國內(nèi)最大的碳化硅材料供應(yīng)基地——中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地。一期項目于2020年正式量產(chǎn)，一期項目達產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)18萬片N型碳化硅單晶晶片、5萬片高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的產(chǎn)能。不僅實現(xiàn)了高純度碳化硅單晶的商業(yè)化量產(chǎn)，高純碳化硅粉料純度和晶體良品率亦居于國際先進水平。

       作為央地合作的重大戰(zhàn)略布局，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地啟動后，將徹底打破國外對我國碳化硅封鎖的局面，實現(xiàn)碳化硅的完全自主供應(yīng)。

       此外，成立于2018年10月的山西爍科晶體有限公司亦實現(xiàn)了5G芯片襯底材料碳化硅的國產(chǎn)自主供應(yīng)。據(jù)山西日報此前報道，山西爍科晶體碳化硅半導(dǎo)體材料產(chǎn)能占據(jù)國內(nèi)第一，市場占有率超過50%。該公司總經(jīng)理今年5月在接受中央電視臺《新聞聯(lián)播》采訪時還透露，正在積極布局第四代的半導(dǎo)體材料。

        《山西省“十四五”新材料規(guī)劃》亦提到，“十四五”期間，重點發(fā)展碳化硅、砷化鎵、藍寶石等材料，加快引進器件設(shè)計、制造、封裝、測試、應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈項目入晉落地，建成國家重要的半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地。