?國投創(chuàng)業(yè)投資企業(yè)光梓科技、源杰半導體聯(lián)合發(fā)布5G前傳解決方案
國投創(chuàng)業(yè)投資企業(yè)光梓科技、源杰半導體聯(lián)合發(fā)布5G前傳解決方案
來源：國投創(chuàng)業(yè)
國投創(chuàng)業(yè)兩家投資企業(yè)——高速模擬芯片廠商光梓科技和國產激光器廠商源杰半導體，日前聯(lián)合推出工業(yè)級5G前傳高性價比解決方案：工業(yè)級CMOS 25G-DML Driver激光器驅動芯片和工業(yè)級25G激光器芯片，主要應用于5G數(shù)據(jù)前傳市場，以實現(xiàn)核心產品的自主可控，滿足持續(xù)增長的市場需求。
截至目前，光梓科技已經(jīng)開發(fā)完成5G網(wǎng)絡前傳/中傳覆蓋距離所需的0-30Km完整解決方案，并具備量產出貨能力。源杰半導體于2019年開始在25G國產激光器芯片市場持續(xù)發(fā)力，憑借其IDM開發(fā)模式，首推了25G國產光芯片，今年延伸實現(xiàn)50GPAM4等更高速產品，均得到海內外客戶的充分認可。
25G-DML Driver因需要大驅動電流和調制電流，行業(yè)內基本采用鍺化硅(SiGe)工藝實現(xiàn)，因此易受制于SiGe晶圓代工產能及供應鏈局限。光梓科技基于標準的CMOS制程工藝，實現(xiàn)高速高帶寬通訊芯片及相關產品的設計和產業(yè)化，先后完成了4x10G/1x25G VCSEL Driver/TIA等芯片的量產工作。通過創(chuàng)新的設計工作和完整的知識產權，光梓科技克服了CMOS工藝不能驅動大電流的瓶頸，推出了基于CMOS工藝的1x25G DML Driver + Dual CDR的產業(yè)化方案，各方面綜合性能達到了行業(yè)水平，滿足模塊和終端客戶對于5G前傳方案的性能、成本及供應鏈的需求，現(xiàn)已處于預量產狀態(tài)。
源杰半導體于2019年實現(xiàn)25G光芯片國產化，率先支持5G新基建建設。工業(yè)級25G激光器芯片普遍存在材料氧化失效與小尺寸熱堆積失效等技術難題，源杰半導體在過去幾年進行了大量的開發(fā)資源投入并完成技術攻克，相關解決方案在國內具備了創(chuàng)新性與唯一性優(yōu)勢。源杰半導體的該款芯片在性能與可靠性方面能完全替代國外同類產品，填補了國內空白。
光梓科技是我國高速光電集成芯片領域的領軍企業(yè)。光梓科技利用具有完整自主知識產權的CMOS高速低功耗模擬光電子芯片設計和制造技術，聯(lián)合世界領先水平的企業(yè)和學術機構，為快速增長的5G網(wǎng)絡、云計算、大數(shù)據(jù)中心、移動信息、生物傳感等新型數(shù)字經(jīng)濟產業(yè)，提供在性能、功耗、成本結構上都有極強競爭力的高品質核心產品。2020年光梓科技被評為“中國5G行業(yè)30強(非上市公司)”“中國信息光電創(chuàng)業(yè)企業(yè)42強”“畢馬威中國最具投資價值半導體企業(yè)50強”等。
源杰半導體成立于2013年，企業(yè)具備自主設計、生產制造半導體激光器芯片能力，已授權激光器專利27項。企業(yè)擁有數(shù)條從MOCVD外延生長、芯片生產和自動測試的生產線，產品面覆蓋2.5Gbps、10Gbps、25Gbps與50Gbps激光器，所有產品均由源杰半導體產線自主設計、開發(fā)、制造與測試驗證。源杰半導體產品已廣泛應用于電信運營商、數(shù)據(jù)中心及光纖到戶等領域，持續(xù)致力于提供高性價比、高可靠性產品。
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