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全球最大SiC外延片廠商連簽兩單長約 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能爭奪號角吹響

發(fā)布時間:2021-09-30發(fā)布人:

全球最大SiC外延片廠商連簽兩單長約 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能爭奪號角吹響

                來源:科創(chuàng)板日報                     


       《科創(chuàng)板日報》(上海,研究員 鄭遠(yuǎn)方)訊,昭和電工28日宣布,已與東芝簽訂SiC(碳化硅)外延片供應(yīng)長約,協(xié)議時長為2.5年。值得一提的是,昭和電工是全球最大的SiC外延片供應(yīng)商。就在本月13日,這家公司也與羅姆簽訂了SiC外延片的多年供應(yīng)長約。


       據(jù)《科創(chuàng)板日報》不完全統(tǒng)計,8月以來,已有多家國際頭部企業(yè)聚焦SiC,以簽訂長約、投資擴(kuò)產(chǎn)、并購等多方式確保產(chǎn)能,產(chǎn)能爭奪戰(zhàn)硝煙已經(jīng)點燃。


       產(chǎn)能有多重要?眼下全球SiC晶圓年產(chǎn)能約在40-60萬片,遠(yuǎn)不能滿足下游需求,供給端成為SiC關(guān)鍵制約因素之一。


       供應(yīng)吃緊的同時,下游應(yīng)用正在飛速增長。


       首當(dāng)其沖的就是電動汽車。數(shù)據(jù)顯示,采用SiC技術(shù)后,新能源汽車能量損耗降低5倍左右,電機逆變器效率可提升4%,整車?yán)m(xù)航里程增加7%。因此,龍頭特斯拉一馬當(dāng)先,其Model 3車型搭載了以24個SiC-MOSFET為功率模塊的逆變器;比亞迪、蔚來、吉利也緊隨其后開始布局。中泰證券認(rèn)為,今年汽車領(lǐng)域SiC有望進(jìn)入放量元年。


       此外,光伏也被看作SiC的潛在應(yīng)用場景,使用SiC技術(shù)可有效增加太陽能轉(zhuǎn)換效率。去年,光伏在SiC器件占比僅10%,分析師仍舊看好其滲透率提升空間。據(jù)國際能源署IEA估計,到2024年,假如僅2%的分布式太陽能光伏系統(tǒng)部署SiC,其額外可產(chǎn)生的發(fā)電量將多達(dá) 10GW。


       現(xiàn)階段,SiC的滲透瓶頸主要是成本過高。不過據(jù)CASA統(tǒng)計,SiC價格近幾年快速下降,2020年較2017年下降了五成以上,與硅器件價差進(jìn)一步縮小,有望加速普及。英飛凌預(yù)計,未來5年,SiC半導(dǎo)體規(guī)模將以每年30%-40%的速度增長。


       目前,國內(nèi)也已涌現(xiàn)眾多布局SiC的廠商,其中:


       三安光電第三代半導(dǎo)體襯底年產(chǎn)能規(guī)劃約3.6萬片;露笑科技預(yù)計,9月底SiC項目一期可小批量出貨;北方華創(chuàng)、華潤微、聞泰科技、揚杰科技等已相繼入局。


       此外,SiC襯底廠商天岳先進(jìn)科創(chuàng)板IPO已于9月9日成功過會;同光晶體10萬片SiC項目已于上周投產(chǎn),公司還計劃一年內(nèi)科創(chuàng)板上市;天科合達(dá)也處于上市申報階段。

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