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       第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱雽?dǎo)體材料。

       氮化鎵GaN已在消費(fèi)電子率先突破，中高壓領(lǐng)域或后來居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作電壓在1000V以下，成本在1美金左右。氮化鎵GaN功率器件在低壓領(lǐng)域（0-900V）率先商用，替代傳統(tǒng)的硅基功率器件。更有實(shí)驗(yàn)室宣布最新工作電壓可達(dá)1200V的硅基GaN外延片，如若該技術(shù)商業(yè)化順利，1000V以上中高壓領(lǐng)域，硅基GaN也有可能獲得一部分市場份額。

       新能源汽車為碳化硅SiC的最重要應(yīng)用領(lǐng)域，如主驅(qū)逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電機(jī)和充電樁等。相較于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET電動車的續(xù)航里程更長。EPA城市路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，將節(jié)省77%的能量損耗。EPA高速路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，節(jié)省85%的能量損耗。能耗節(jié)省直觀增加車輛續(xù)航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的電動車比使用硅基IGBT電動車將增加5-10%的續(xù)航里程。

       目前我國廠商已布局第三代半導(dǎo)體的設(shè)備、襯底、外延和器件全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，包括難度最大的襯底長晶環(huán)節(jié)，自動化程度較高的外延環(huán)節(jié)和應(yīng)用于下游市場的器件環(huán)節(jié)。整體來看我國第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力較強(qiáng)。

       氮化鎵GaN單晶生長困難問題有何良策？

       氮化鎵GaN何時(shí)可提升其射頻市場的滲透率？

       碳化硅良率提升問題如何解決？

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       12月9日深圳國際會展中心(寶安新館) “第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇”將就相關(guān)問題帶來講解。

       同期峰會預(yù)告：2021第四屆“5G&半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)高峰會

        時(shí)間：2021年12月8下午13:30-17:30日   地點(diǎn)：深圳國際會展中心（寶安）