道瓊斯通訊社2月17日消息，英飛凌科技公司周四表示，將投資20億歐元（約合22.7億美元）提高在寬帶隙半導(dǎo)體領(lǐng)域的制造能力。
這家德國(guó)芯片制造商表示，將在位于馬來(lái)西亞居林的工廠建造第三個(gè)模塊，以大幅增加產(chǎn)能，一旦完工，新模塊將產(chǎn)生20億歐元的額外年收入。
英飛凌稱(chēng)，施工將于6月開(kāi)始，預(yù)計(jì)第一批晶圓將于2024年下半年下線。英飛凌還表示，未來(lái)幾年，還將把奧地利菲拉赫工廠的硅半導(dǎo)體設(shè)施改造為寬帶隙設(shè)施。
