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幾種常見的溝槽結構SiC MOSFET類型

SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。但是，溝槽結構可以增加單元密度，沒有JFET效應，寄生電容更小，開關速度快，開關損耗非常低；而且，通過選取合適溝道晶面以及優(yōu)化設計的結構，可以實現(xiàn)最佳的溝道遷移率，明顯降低導通電阻，因此，新一代SiC MOSFET主要研究和采用這種結構。

這種結構柵極溝槽底部氧化層的工作電場強度高，在高的反向偏置電壓下，此處成為器件最薄弱的環(huán)節(jié)。溝槽結構SiC MOSFET的技術演進方向，就是采用優(yōu)化的內部結構，減小溝槽底部氧化層工作電場強度，本文列出了一些常見結構。

1、Rohm的雙溝槽結構

柵極溝槽底部氧化層外二側P-體區(qū)下移，下移P-體區(qū)和溝槽底部附近的N-區(qū)漂移層的PN結，形成耗盡層，也就是空間電荷區(qū)，降低柵極溝槽底部氧化層內的工作電場強度，這是一種最為經(jīng)典、實用的專利結構。

a) Rohm雙溝槽結構

b) 電場分布

  Rohm雙溝槽結構及電場分布

2、Infineon非對稱溝槽結構

柵極溝槽底部氧化層外P-體區(qū)單側下移，半包裹柵極溝槽底部區(qū)域，下移P-體區(qū)和溝槽底部附近N-區(qū)漂移層的PN結，形成耗盡層、也就是空間電荷區(qū)，降低柵極溝槽底部氧化層內的工作電場強度。

圖2  Infineon非對稱溝槽結構

3、普渡大學Integral Oxide Protection綜合氧化保護結構

綜合氧化保護結構IOP改進地方有3部分：整個柵極溝槽氧化層外，包括底部和側壁，使用低摻雜薄層N-型SiC，把柵極氧化層隔開；柵極溝槽下部，再增加一層P+型SiC；P-體區(qū)和N-漂移層之間增加一層高摻雜N+型SiC。

圖3  普渡大學IOP溝槽結構

器件處于反向偏置時，柵極溝槽下面新增PN結形成空間電荷區(qū)，也就是耗盡層，可以對柵極氧化層起到屏蔽電場作用，將柵極氧化層內最大電場轉移到PN結，減小柵極氧化層內的工作電場，甚至讓柵極氧化層電場減少到0，有效消除柵極氧化層被電場擊穿可能性。

柵極溝槽側壁薄層低摻雜N-型SiC，可以降低SiC-SiO 界面態(tài)對溝道電子散射作用，提高電子遷移率，降低器件導通電阻。器件導通時，P-體區(qū)和N-漂移層之間新增高摻雜N+型層，促進溝道電子進入漂移區(qū)后立即擴展，進一步降低導通電阻。

4、Mitsubishi溝槽結構

采用非對稱溝槽結構，柵極溝槽底部區(qū)域有3個結構：底部P+電場限制結構，側接地電場限制層（圖4中溝槽底部左側P區(qū)）、高濃度N+摻雜導電區(qū)（圖4中溝槽底部右側N+區(qū)）。柵極溝槽底部的P+電場限制結構和N-漂移層形成PN結，PN結的耗盡層、也就是空間電荷區(qū)，將加在柵極氧化層的電場強度降低到普通平面結構的水平，側接地電場限制層將電場限制層連接到源極，形成側接地，實現(xiàn)高速開關。高濃度摻雜導電區(qū)，降低電流通路的導通電阻。

圖4  Mitsubishi溝槽結構

其改進結構如圖5所示，溝槽底部區(qū)域變?yōu)?個結構：溝槽底部的P+電場限制結構和溝槽底部周圍的高濃度摻雜N+導電區(qū)（圖5中溝槽底部二側N+）。P+電場限制結構將加在柵極溝槽氧化層的電場強度降低，高濃度摻雜N+導電區(qū)降低電流通路的導通電阻。

圖5  Mitsubishi改進溝槽結構

5、Fuji Electric

柵極溝槽二側的P-體區(qū)部分下移，使用高摻雜P+；柵極溝槽底部氧化層外，增加掩埋的P+浮島結構，和N-漂移層形成PN結，PN結的耗盡層、也就是空間電荷區(qū)，降低柵極溝槽底部氧化層內的工作電場強度。

圖6  Fuji溝槽結構

6、日本住友/豐田

柵極溝槽二側P-體區(qū)部分下移，使用高摻雜P+，在溝槽底部氧化層外附近區(qū)域，下移P+區(qū)截面積變寬，延伸到柵極溝槽底部氧化層外附近區(qū)域，讓下移的P+區(qū)和柵極溝槽底部附近的N-漂移層形成PN結，PN結的耗盡層，降低柵極溝槽底部氧化層內的電場強度，溝槽采用V形結構。

圖7  日本住友/豐田溝槽結構

7、日本Denso電裝

類似于住友的溝槽結構，只是改為U形溝槽。

圖8  日本Denso溝槽結構

總結：這些結構核心就是在柵極溝槽底部或柵極溝槽底部附近區(qū)域，增加P型結構，形成耗盡層（空間電荷區(qū)），從而，把柵極溝槽底部氧化層電場，部分轉移到耗盡層中，減小柵極溝槽底部的電場。 

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