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2022年第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)項(xiàng)目“版圖”,超15大項(xiàng)目背后芯勢(shì)力

發(fā)布時(shí)間:2022-03-28發(fā)布人:

2022年第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)項(xiàng)目“版圖”,超15大項(xiàng)目背后芯勢(shì)力


集微網(wǎng)消息,上海、北京、天津、江蘇、安徽、河北、福建、湖北、四川、廣東、江西等地2022年重點(diǎn)項(xiàng)目計(jì)劃已于近期發(fā)布,“第三代半導(dǎo)體”依然作為熱門投資領(lǐng)域“上榜”。集微網(wǎng)不完全統(tǒng)計(jì)顯示,今年被列入省、市重點(diǎn)項(xiàng)目的第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目已超15個(gè)。

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從2022年入選市級(jí)以上重點(diǎn)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目分布地區(qū)來(lái)看,東南沿海地區(qū)占比超40%;京津環(huán)渤海地區(qū)占比超30%;長(zhǎng)三角與中西部項(xiàng)目數(shù)相當(dāng)。

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以上項(xiàng)目中,超60%“專攻”SiC領(lǐng)域,超1/3研發(fā)、制造SiC襯底。從建設(shè)單位來(lái)看,天岳、天科合達(dá)、山東同光、露笑等一批國(guó)內(nèi)代表性第三代半導(dǎo)體企業(yè)都有項(xiàng)目上榜,助推公司產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)升。

由于省市之間重點(diǎn)項(xiàng)目的制定存在一定差別。因此以上項(xiàng)目分布,并不能完整反應(yīng)該地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)力情況。

北京:第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目

根據(jù)《北京市2022年重點(diǎn)工程計(jì)劃》文件,該項(xiàng)目單位為北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司,項(xiàng)目位于大興區(qū),建設(shè)規(guī)模約5.5萬(wàn)平方米,新建第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地,新建滿足400臺(tái)單晶生長(zhǎng)爐生長(zhǎng)、加工、清洗和檢測(cè)的廠房1座并建立配套的動(dòng)力站、科研樓等配套。

2020年8月,天科合達(dá)第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目開工儀式在北京大興舉行。當(dāng)時(shí)消息顯示,項(xiàng)目總投資約9.5億元,新建一條400臺(tái)/套碳化硅單晶生長(zhǎng)爐及其配套切、磨、拋加工設(shè)備的碳化硅襯底生產(chǎn)線,建成后可年產(chǎn)碳化硅襯底12萬(wàn)片。

上海:天岳碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目

2021年8月,上海天岳半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在臨港開工。

上海天岳半導(dǎo)體材料有限公司成立于2020年6月,是山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司的全資子公司。此前公開消息顯示,上海天岳建設(shè)“碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目” 總建筑面積9.5萬(wàn)平方米,總投資25億元,在達(dá)產(chǎn)年,形成年產(chǎn)導(dǎo)電型碳化硅晶錠2.6萬(wàn)塊,對(duì)應(yīng)襯底產(chǎn)品30萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

安徽:第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目

根據(jù)安徽2022年重點(diǎn)項(xiàng)目投資計(jì)劃,第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目,建設(shè)地點(diǎn)位于合肥長(zhǎng)豐縣,項(xiàng)目單位為合肥露笑半導(dǎo)體材料有限公司,總建筑面積8萬(wàn)平方米,主要建設(shè)廠房、輔助用房,購(gòu)置晶體生長(zhǎng)爐、原料合成爐測(cè)試設(shè)備、超凈室、研發(fā)設(shè)備等先進(jìn)設(shè)備。

2020年11月28日,露笑科技第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開工。此前公開消息顯示,該項(xiàng)目規(guī)劃總投資100億元,主要建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)的設(shè)備制造、長(zhǎng)晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地。該項(xiàng)目一期投資21億元,達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)24萬(wàn)片導(dǎo)電型碳化硅襯底片和5萬(wàn)片外延片的生產(chǎn)能力。

2021年11月7日,露笑科技發(fā)布公告稱,合肥露笑半導(dǎo)體一期已完成主要設(shè)備的安裝調(diào)試,進(jìn)入正式投產(chǎn)階段。后續(xù)公司會(huì)根據(jù)市場(chǎng)訂單情況及一期投產(chǎn)情況完成產(chǎn)能的進(jìn)一步擴(kuò)張。

河北:同光高質(zhì)量碳化硅單晶襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

2021年9月,同光晶體碳化硅單晶淶源項(xiàng)目正式投產(chǎn),項(xiàng)目總投資10億元,計(jì)劃增購(gòu)單晶生長(zhǎng)爐600臺(tái),滿產(chǎn)后,達(dá)到年產(chǎn)10萬(wàn)片生產(chǎn)能力。

當(dāng)時(shí)同光科技董事長(zhǎng)鄭清超表示,下一步,同光正謀劃建設(shè)2000臺(tái)碳化硅晶體生長(zhǎng)爐生長(zhǎng)基地,以及年產(chǎn)60萬(wàn)片碳化硅單晶襯底加工基地,擬總投資40億元,預(yù)計(jì)2025年末實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。

天達(dá)晶陽(yáng)半導(dǎo)體年產(chǎn)2.8萬(wàn)片碳化硅晶片項(xiàng)目

此前清河經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)消息顯示,天達(dá)晶陽(yáng)公司投資建設(shè)碳化硅單晶體項(xiàng)目,總投資約7.3億元,項(xiàng)目建設(shè)分為兩期。其中,第一期為年產(chǎn)4英寸碳化硅晶片1.2萬(wàn)片,使用單晶生長(zhǎng)爐54臺(tái)。第二期年產(chǎn)分別為4-8英寸碳化硅晶片10.8萬(wàn)片。

據(jù)悉,河北天達(dá)晶陽(yáng)半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司成立于2020年6月,以中國(guó)科學(xué)院物理研究所、北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司為技術(shù)依托,采用的技術(shù)綜合實(shí)力在碳化硅單晶襯底行業(yè)排名國(guó)內(nèi)第一、世界第四,達(dá)到了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先和國(guó)際先進(jìn)水平。

青島:華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項(xiàng)目

今年2月28日,青島華芯晶元第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工。項(xiàng)目總投資7億元,占地50畝,建筑面積5.4萬(wàn)平方米,項(xiàng)目采用碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導(dǎo)體化合物材料加工生產(chǎn)相關(guān)芯片襯底產(chǎn)品,廣泛用于光電子器件及通訊微波射頻器件(4G、5G通訊基站),項(xiàng)目建成后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)33萬(wàn)片第三代化合物半導(dǎo)體襯底晶圓的產(chǎn)業(yè)線。

而除部分已透露建設(shè)單位的項(xiàng)目之外,也有部分項(xiàng)目并未透露詳細(xì)情況,但根據(jù)落地地區(qū)、建設(shè)情況等信息,也可一窺端倪。

廣東:芯粵能碳化硅芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目

芯粵能碳化硅芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資35億元,建設(shè)月產(chǎn)能2萬(wàn)片的6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線。

廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司由世界500強(qiáng)企業(yè)吉利汽車參與投資。項(xiàng)目主要面向新能源汽車及相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的碳化硅(SiC)芯片產(chǎn)業(yè)化,包括芯片設(shè)計(jì)、芯片工藝研發(fā)與規(guī)?;圃斓?。

廣州:碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項(xiàng)目

根據(jù)官方信息,廣州碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項(xiàng)目位于南沙區(qū)。

值得一提的是,2020年7月8日,廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項(xiàng)目動(dòng)工。據(jù)當(dāng)時(shí)報(bào)道,該項(xiàng)目將擴(kuò)大晶體生長(zhǎng)和加工規(guī)模,并增加外延片加工生產(chǎn)線,達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬(wàn)片,年產(chǎn)值將達(dá)13.5億元。

志橙半導(dǎo)體SiC材料研發(fā)制造總部

志橙半導(dǎo)體SiC材料研發(fā)制造總部項(xiàng)目主要從事半導(dǎo)體SiC涂層石墨基座生產(chǎn),項(xiàng)目占地約15275.6平方米,其中建筑占地面積6885.07平方米,總建筑面積24346.92平方米,主要建筑物包括主廠房、供氫站、化學(xué)品供應(yīng)站等。

廣州志橙半導(dǎo)體有限公司成立于2020年,為深圳市志橙半導(dǎo)體材料有限公司的全資控股子公司。深圳志橙專業(yè)為半導(dǎo)體芯片制造設(shè)備提供核心部件SiC涂層石墨基座(以下簡(jiǎn)稱“石墨盤”),是目前國(guó)內(nèi)唯一量產(chǎn)半導(dǎo)體外延用SiC涂層石墨基座的高科技企業(yè)。

東莞:第三代半導(dǎo)體襯底及裝備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

據(jù)東莞市發(fā)改委消息,第三代半導(dǎo)體襯底及裝備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目計(jì)劃投資60080萬(wàn)元,項(xiàng)目位于東莞松山湖,將實(shí)現(xiàn)圖形化藍(lán)寶石襯底年產(chǎn)量約6120萬(wàn)片(折合2英寸),計(jì)劃投產(chǎn)時(shí)間為2023年12月。

圖片

東莞市人民政府官網(wǎng)網(wǎng)站信息顯示,位于松山湖的中圖半導(dǎo)體襯底及裝備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資也為60080萬(wàn)元,占地約57畝,總建筑面積67387平方米。項(xiàng)目主要從事2-6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底(簡(jiǎn)稱PSS)的研發(fā)與生產(chǎn)。兩者或?yàn)橥豁?xiàng)目。(校對(duì)/西農(nóng)落)



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