年產(chǎn)22萬(wàn)片SiC！這個(gè)35億碳化硅芯片項(xiàng)目簽約浙江
年產(chǎn)22萬(wàn)片SiC！這個(gè)35億碳化硅芯片項(xiàng)目簽約浙江
來(lái)源：化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)
7月18日，在“2021上?！そ鹑A周”開(kāi)幕式上，16個(gè)項(xiàng)目集中簽約，包括總投資35億元的世紀(jì)金光第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片項(xiàng)目。
年產(chǎn)22萬(wàn)片SiC，產(chǎn)值達(dá)40億！
據(jù)悉，世紀(jì)金光第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片項(xiàng)目總投資35億元，建設(shè)年產(chǎn)22萬(wàn)片6~8英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線，項(xiàng)目分三期完成建設(shè)，三期項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值約40億元。項(xiàng)目建成后將助推上下游關(guān)聯(lián)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，預(yù)計(jì)可帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)近千億產(chǎn)值。
世紀(jì)金光在SiC領(lǐng)域的發(fā)展歷程
2015年，第一款SiC SBD研制成功，開(kāi)始SiC全產(chǎn)業(yè)鏈工業(yè)生產(chǎn)線建設(shè)
2016年，第一款SiC MOSFET器件研發(fā)成功
2017年，獲得國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金投資，“企業(yè)研發(fā)中心”獲批“第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)與驗(yàn)證北京市工程實(shí)驗(yàn)室”
SiC從粉料到功率器件產(chǎn)業(yè)鏈建成并投產(chǎn)
2018年，國(guó)內(nèi)首條6英寸SiC器件生產(chǎn)線通線
2019年，獲得“第三代半導(dǎo)體功率器件與驗(yàn)證中試服務(wù)平臺(tái)”授牌
關(guān)于世紀(jì)金光
世紀(jì)金光是一家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體功能材料和功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，是國(guó)內(nèi)第一家擁有SiC全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)的半導(dǎo)體公司。
目前，“世紀(jì)金光”碳化硅6英寸單晶已量產(chǎn)；功率器件和模塊制備已覆蓋額定電壓650-1700V、額定電流5-100A的碳化硅肖特基二極管（SBD），額定電壓650-1200V、額定電流20-100A的金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），50-600A的全橋、半橋混合功率模塊及全碳化硅功率模塊等。
在終端應(yīng)用方面，世紀(jì)金光碳化硅功率器件已經(jīng)成熟應(yīng)用于電源PFC、充電樁充電模組、光伏逆變器、特種電源等領(lǐng)域；基于碳化硅技術(shù)的新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的技術(shù)開(kāi)發(fā)已經(jīng)獲得重要進(jìn)展。
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