外媒：三星將在5月初為NAND閃存生產(chǎn)安裝晶圓廠設(shè)備
發(fā)布時間：2022-04-22發(fā)布人：
外媒：三星將在5月初為NAND閃存生產(chǎn)安裝晶圓廠設(shè)備
據(jù)外媒TheElec 4月19日報道，三星計劃于5月初在其平澤工廠的新晶圓廠P3上安裝晶圓廠設(shè)備。
TheElec引述消息人士稱，三星將首先在5月第一周為NAND閃存生產(chǎn)安裝晶圓廠設(shè)備。另外，P3廠區(qū)將先建造NAND閃存生產(chǎn)線，然后是DRAM和晶圓代工。
據(jù)了解，三星P3廠區(qū)是三星平澤廠區(qū)的第三座芯片工廠，是一個綜合生產(chǎn)基地，同時運營存儲器和晶圓代工生產(chǎn)線。P3廠區(qū)面積為70萬平方米，是P2廠區(qū)面積的1.7倍。
報道稱，當P3下個月開始量產(chǎn)時，將占用平澤工廠6塊工廠用地中的3塊。三星預(yù)計將在P3之后在平澤建造P4，同時計劃在美國建造另一座20萬億韓元的代工工廠。
從2017年開始，三星在韓國平澤一期工廠一樓進行64層NAND的生產(chǎn)。2018年，三星在其二樓增設(shè)了DRAM產(chǎn)線。
同年，三星在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠（P2），用于擴大DRAM、NAND Flash快閃存儲器的產(chǎn)能。新工廠P2總投資額約30萬億韓元，就在距離平澤工廠不遠處。
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