填補東北區(qū)域產(chǎn)業(yè)空白 氮化鎵半導(dǎo)體芯片項目建成
填補東北區(qū)域產(chǎn)業(yè)空白 氮化鎵半導(dǎo)體芯片項目建成
5月9日，盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)的氮化鎵半導(dǎo)體芯片項目現(xiàn)場，工程施工人員正在接通水電氣，遼寧百思特達半導(dǎo)體科技有限公司的工作人員對動力設(shè)備、存水系統(tǒng)、空氣壓縮機等進行最后調(diào)試。
5月9日，盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)的氮化鎵半導(dǎo)體芯片項目現(xiàn)場，工程施工人員正在接通水電氣，遼寧百思特達半導(dǎo)體科技有限公司的工作人員對動力設(shè)備、存水系統(tǒng)、空氣壓縮機等進行最后調(diào)試。
據(jù)公司副董事長刑艷介紹，遼寧百思特達半導(dǎo)體科技有限公司是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的綜合性高科技企業(yè)，始終致力于開創(chuàng)中國半導(dǎo)體氮化鎵芯片領(lǐng)域的科技新格局。目前，氮化鎵半導(dǎo)體芯片項目的車間裝修、機電設(shè)備安裝等收尾工程已經(jīng)完工，在高新區(qū)管委會的協(xié)助下，企業(yè)定制的工藝設(shè)備陸續(xù)運輸、安裝到位。預(yù)計5月下旬，進入工藝設(shè)備調(diào)試、企業(yè)生產(chǎn)線和人員進駐階段。項目需要經(jīng)過2個月的中試后正式投產(chǎn)，助力企業(yè)在“發(fā)展賽道”上加速挺進。
氮化鎵半導(dǎo)體芯片項目總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬余平方米，項目包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產(chǎn)車間、1棟芯片封裝及應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)制造車間、1棟成品庫房、1棟制氫站、1棟研發(fā)中心及綜合管理用房等建設(shè)內(nèi)容，可為企業(yè)增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升，并向社會提供更多的就業(yè)崗位。
在項目規(guī)劃和建設(shè)期間，市區(qū)兩級黨委政府、相關(guān)部門和高新區(qū)管委會密切關(guān)注，及時為企業(yè)解決審批等環(huán)節(jié)的需求，提供安全指導(dǎo)和監(jiān)管服務(wù)，確保項目施工平穩(wěn)進行，保障了項目的優(yōu)質(zhì)建設(shè)和順利完工。
氮化鎵半導(dǎo)體芯片項目的建成達產(chǎn)，不僅填補了東北區(qū)域的產(chǎn)業(yè)空白，對“中國制造2025”及第三代化合物半導(dǎo)體和微電子等相關(guān)技術(shù)的提升更具有戰(zhàn)略意義。正式投產(chǎn)后，遼寧百思特達半導(dǎo)體科技有限公司將成為東北地區(qū)規(guī)模最大的氮化鎵芯片完整產(chǎn)業(yè)鏈綜合高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)企業(yè)。
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