臺積電首度揭曉2納米制程技術(shù) 預(yù)計2025年量產(chǎn)
臺積電首度揭曉2納米制程技術(shù) 預(yù)計2025年量產(chǎn)
臺積電17日舉辦2022年北美技術(shù)論壇，首度揭曉2納米制程技術(shù)，和3納米相比，在相同功耗下，2納米的速度增快 10~15%，或在相同速度下，功耗降低 25~30%。
據(jù)臺媒《中央社》報道，臺積電揭示了支持N3 及 N3E 的 TSMC FINFLEX技術(shù)。這項技術(shù)平臺，除了涵蓋臺積電即將于今年下半年量產(chǎn)的3納米（N3）技術(shù)，并將搭配創(chuàng)新的 TSMC FINFLEX架構(gòu)。
據(jù)悉，TSMC FINFLEX技術(shù)，是在開發(fā)3納米時，同時讓2納米（N2）獲得重大突破。這項技術(shù)提供多樣化的標準元件選擇:3-2鰭結(jié)構(gòu)支持超高性能、2-1 鰭結(jié)構(gòu)支持最佳功耗效率與電晶體密度、2-2鰭結(jié)構(gòu)則是支持平衡兩者的高效性能。
臺積電指出，通過各功能區(qū)塊最優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，向全球揭示N2技術(shù)正式可提供代工服務(wù)，和3納米相比，功效大幅往前推進。在相同功耗下，2納米的速度增快 10~15%，或在相同速度下，功耗降低 25~30%。
臺積電并強調(diào)2納米采用納米片電晶體架構(gòu)，使其效能及功耗效率提升一個世代，協(xié)助臺積客戶實現(xiàn)下一代產(chǎn)品的創(chuàng)新。除移動計算的基本版本，2納米技術(shù)平臺也涵蓋高效能版本及完備的小芯片（chiplet）整合解決方案，并預(yù)定2025年開始量產(chǎn)。
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