國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心-漢天下寬帶通信濾波器芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心成立
國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心-漢天下寬帶通信濾波器芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心成立
蘇州漢天下電子有限公司以高性能體聲波濾波器的研發(fā)與應用開發(fā)為主線，解決設計、工藝等關(guān)鍵共性技術(shù)問題，聯(lián)合江蘇第三代半導體研究院有限公司共建“寬帶通信濾波器芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”，通過產(chǎn)業(yè)集群的協(xié)同優(yōu)勢，充分發(fā)揮企業(yè)的技術(shù)優(yōu)勢，形成優(yōu)勢互補和加強，共同培育和承擔各類重大項目，推動高性能濾波器產(chǎn)業(yè)化。
6月25日，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心發(fā)展戰(zhàn)略研討會暨第一屆專家委員會會議召開。中國科學院院士、國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心主任郝躍，中國科學院院士江風益，中國工程院院士歐陽曉(線上)，中國科學院院士楊德仁（線上），江蘇省科技廳二級巡視員景茂，蘇州工業(yè)園區(qū)黨工委委員、管委會副主任倪乾等出席會議。會議由中科院蘇州納米所副所長、江蘇第三代半導體研究院院長徐科主持。
今年1月，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地在蘇州納米城開工，項目首期占地105畝，總建筑面積超20萬m2，其中漢天下電子研發(fā)中心總建筑面積約1.7萬平方米，規(guī)劃建設8英寸體聲波濾波器及射頻模組生產(chǎn)廠房，主要包括高頻濾波器研發(fā)生產(chǎn)線、射頻模組封裝線、產(chǎn)品性能測試實驗室等，擬作為蘇州漢天下未來的器件工藝研發(fā)和生產(chǎn)制造中心。
本次會議，圍繞“十四五”期間國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，探討國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心支撐產(chǎn)業(yè)發(fā)展的建設路徑。面向第三代半導體領(lǐng)域國家重大戰(zhàn)略需求和產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要，瞄準通信產(chǎn)業(yè)應用需求，圍繞射頻芯片的發(fā)展，蘇州漢天下電子有限公司以高性能體聲波濾波器的研發(fā)與應用開發(fā)為主線，解決設計、工藝等關(guān)鍵共性技術(shù)問題，聯(lián)合江蘇第三代半導體研究院有限公司共建“寬帶通信濾波器芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”，通過產(chǎn)業(yè)集群的協(xié)同優(yōu)勢，充分發(fā)揮企業(yè)的技術(shù)優(yōu)勢，形成優(yōu)勢互補和加強，共同培育和承擔各類重大項目，推動高性能濾波器產(chǎn)業(yè)化。
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