長(zhǎng)電科技實(shí)現(xiàn)4nm芯片封裝
長(zhǎng)電科技實(shí)現(xiàn)4nm芯片封裝
長(zhǎng)電科技在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司已可以實(shí)現(xiàn)4nm手機(jī)芯片封裝，以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝，在先進(jìn)封裝技術(shù)方面再度實(shí)現(xiàn)突破。
去年7月，長(zhǎng)電科技發(fā)布XDFOI多維先進(jìn)封裝技術(shù)，該技術(shù)能夠?yàn)楦呙芏犬悩?gòu)集成提供全系列解決方案，也為此次突破4nm先進(jìn)工藝制程封裝技術(shù)打下基礎(chǔ)。
據(jù)了解，諸如4nm等先進(jìn)工藝制程芯片，在封測(cè)過(guò)程中往往面臨連接、散熱等挑戰(zhàn)。因此，在先進(jìn)制程芯片的封裝中，多采用多維異構(gòu)封裝技術(shù)。長(zhǎng)電科技介紹，相比于傳統(tǒng)的芯片堆疊技術(shù)，多維異構(gòu)封裝的優(yōu)勢(shì)是可以通過(guò)導(dǎo)入中介層及其多維結(jié)合，來(lái)實(shí)現(xiàn)更高密度的芯片封裝，同時(shí)多維異構(gòu)封裝能夠通過(guò)中介層優(yōu)化組合不同密度的布線和互聯(lián)達(dá)到性能和成本的有效平衡。
此前，長(zhǎng)電科技首席技術(shù)長(zhǎng)李春興曾公開表示：“摩爾定律前進(jìn)趨緩，而信息技術(shù)的高速發(fā)展和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速普及激發(fā)了大量的多樣化算力需求，因此，高效提高芯片內(nèi)IO密度和算力密度的異構(gòu)集成技術(shù)，被視為先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展的新機(jī)遇?！?/p>
如今，單純的依靠尺寸縮小使得芯片在成本、功耗和性能方面獲得提升，變得越來(lái)越難，后摩爾時(shí)代即將來(lái)臨，而先進(jìn)封裝技術(shù)被視為后摩爾時(shí)代顛覆性技術(shù)之一。Yole數(shù)據(jù)顯示，去年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)總營(yíng)收達(dá)321億美元，預(yù)計(jì)到2027年復(fù)合年均增長(zhǎng)率將達(dá)到10%。
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