盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“盛美上?！?，作為一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)晶圓級(jí)封裝應(yīng)用提供晶圓工藝解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，今日推出新型化學(xué)機(jī)械研磨后（Post-CMP）清洗設(shè)備。這是盛美上海的第一款Post-CMP清洗設(shè)備，用于制造高質(zhì)量襯底化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝之后的清洗。該清洗設(shè)備6英寸和8英寸的配置適用于碳化硅（SiC）襯底制造；8英寸和12英寸配置適用于硅片制造。該設(shè)備有濕進(jìn)干出（WIDO）和干進(jìn)干出（DIDO）兩種配置，并可選配2、4或6個(gè)腔體，擁有每小時(shí)60片晶圓的最大產(chǎn)能（WPH）。
盛美上海董事長(zhǎng)王暉博士表示：“全球設(shè)備供應(yīng)鏈的交付時(shí)間繼續(xù)延長(zhǎng)，這為盛美上海提供了一個(gè)絕佳時(shí)機(jī)，我們可以憑借在半導(dǎo)體清洗工藝技術(shù)方面的豐富經(jīng)驗(yàn)進(jìn)入清洗市場(chǎng)，進(jìn)一步擴(kuò)大清洗產(chǎn)品組合。Post-CMP清洗設(shè)備為盛美上海的客戶提供了一種穩(wěn)定、可靠且具有成本效益的解決方案，同時(shí)還能縮短交貨時(shí)間，大大緩解短缺的現(xiàn)狀?！?/p>
在CMP步驟之后，需要在低溫下使用稀釋的化學(xué)品進(jìn)行物理預(yù)清洗工藝，以減少顆粒數(shù)量。盛美上海的Post-CMP清洗設(shè)備能夠滿足這些要求，并提供多種配置，包括盛美上海獨(dú)創(chuàng)的 Smart MegasonixTM先進(jìn)清洗技術(shù)。
第一種配置是新型WIDO在線預(yù)清洗設(shè)備，它可以直接與現(xiàn)有的CMP設(shè)備對(duì)接。晶圓自動(dòng)轉(zhuǎn)移到兩個(gè)刷洗腔體中，使用化學(xué)和冷去離子水（CDIW）同時(shí)對(duì)晶圓正面、背面和斜面邊緣進(jìn)行處理。然后將晶圓轉(zhuǎn)移至兩個(gè)或四個(gè)清洗腔體，并使用多種化學(xué)品和 CDIW 進(jìn)行處理。這一過(guò)程通過(guò)氮?dú)猓∟2）干燥和高速旋轉(zhuǎn)完成，可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個(gè)剩余顆粒的處理，或28納米以下20-25個(gè)剩余顆粒的處理，同時(shí)金屬污染可控制在1E+8（原子/平方厘米）以內(nèi)。當(dāng)配置4個(gè)腔體的時(shí)候，WIDO預(yù)清洗設(shè)備可提供高達(dá)每小時(shí)35片晶圓的產(chǎn)能。
第二種配置是新型DIDO預(yù)清洗獨(dú)立設(shè)備，它配有四個(gè)裝載端口，比WIDO預(yù)清洗設(shè)備占地面積更小，適用于CMP產(chǎn)線具有內(nèi)置清洗腔的客戶，從而保持取出的晶圓干燥良好。在這種配置下，晶圓通過(guò)裝載端口手動(dòng)轉(zhuǎn)移到預(yù)清洗設(shè)備中，然后進(jìn)行與WIDO預(yù)清洗設(shè)備中相同的處理。DIDO預(yù)清洗設(shè)備有四腔或六腔配置，分別為兩個(gè)軟刷和兩個(gè)清洗腔體或兩個(gè)軟刷和四個(gè)清洗腔體。DIDO預(yù)清洗設(shè)備可實(shí)現(xiàn)與WIDO預(yù)清洗設(shè)備相同的金屬污染清洗效果。并且在使用配置六腔體設(shè)備時(shí)，產(chǎn)能可達(dá)到每小時(shí)60片晶圓。
第三種可用配置是WIDO離線預(yù)清洗設(shè)備，適用于晶圓廠占地面積較小的情況。使用該設(shè)備時(shí)，從CMP設(shè)備中出來(lái)后的濕晶圓需轉(zhuǎn)移到DIW中，并手動(dòng)轉(zhuǎn)移至WIDO離線預(yù)清洗設(shè)備中，使用相同清洗工藝，可實(shí)現(xiàn)相同的顆粒清洗性能，產(chǎn)能可達(dá)每小時(shí)60片晶圓。
