博世宣布在2026年前投資30億歐元用于芯片擴產(chǎn)
博世宣布在2026年前投資30億歐元用于芯片擴產(chǎn)
7月13日，博世科技日在德國德累斯頓圓晶廠舉行，博世展示了集團目前所掌握的半導體生產(chǎn)技術(shù)以及未來生產(chǎn)計劃。
博世公司宣布，將在2026年前投資30億歐元用于芯片生產(chǎn)，作為歐洲共同利益重要計劃中微電子和通訊技術(shù)領(lǐng)域?qū)０傅囊徊糠帧?/p>
博世在聲明中表示，公司將投入1.7億歐元用于在德國建立新的開發(fā)中心，投入2.5億歐元用于擴大其在德累斯頓的晶圓廠。博世還將探索使用氮化鎵制造芯片，與傳統(tǒng)的硅基功率芯片相比，氮化鎵芯片的功率損耗可以減少4倍。
同時，針對消費品行業(yè)，博世也在不斷優(yōu)化改良自身的微機電系統(tǒng)（MEMS）。博世集團執(zhí)行長Stefan Hartung博士表示，微電子即未來。Hartung表示，為鞏固博世在MEMS科技領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，我們將以12英寸晶圓制造MEMS感測器，預(yù)計將于2026年投產(chǎn)，新的晶圓廠也將賦予我們大規(guī)模量產(chǎn)機會，博世必定會善加利用此優(yōu)勢。
此外，博世的另一個重點是生產(chǎn)新型半導體。據(jù)介紹，博世自2021年底起就在羅伊特林根工廠大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅（SiC）芯片，以應(yīng)用于電動和混動汽車的電力電子裝置中。為了讓電力電子器件價格更低、效率更高，博世正在探索使用其他類型的芯片，例如博世正在開發(fā)可應(yīng)用于電動汽車的氮化鎵芯片。不過，博世集團表示，在應(yīng)用于汽車前，氮化鎵芯片必須變得更為堅固，并能夠承受1200伏的高電壓。
據(jù)路透社報道，博世首席執(zhí)行官哈爾騰表示：“2022年，有很多事情會有所緩解，但2023年仍會存在瓶頸。如果需求因可能的經(jīng)濟衰退而下降，個別行業(yè)可能需要更少的芯片......但你不能以此來制定戰(zhàn)略?！?/p>
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