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泛林集團(tuán)、Entegris 和 Gelest 攜手推進(jìn) EUV 干膜光刻膠技術(shù) 生態(tài)系統(tǒng)

泛林集團(tuán)、Entegris, Inc. 和三菱化學(xué)集團(tuán)旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項(xiàng)戰(zhàn)略合作，將為全球半導(dǎo)體制造商提供可靠的前體化學(xué)品，用于下一代半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng)新技術(shù)。三方將合作對未來幾代邏輯和 DRAM 器件生產(chǎn)所使用的 EUV 干膜光刻膠技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，這將有助于從機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能到移動設(shè)備所有這些技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。

強(qiáng)大的工藝化學(xué)品供應(yīng)鏈對于 EUV 干膜光刻膠技術(shù)運(yùn)用到量產(chǎn)至關(guān)重要。這一新的長期合作將進(jìn)一步擴(kuò)大干膜光刻膠技術(shù)不斷發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)，由半導(dǎo)體材料領(lǐng)先者提供雙源供應(yīng)，保障全球所有市場的持續(xù)供應(yīng)。

此外，泛林、Entegris 和 Gelest 還將攜手合作，加快開發(fā)未來用于高數(shù)值孔徑（高 NA）EUV 圖形化的高性價(jià)比 EUV 干膜光刻膠解決方案。高 NA EUV 被廣泛認(rèn)為是未來幾十年半導(dǎo)體器件持續(xù)微縮和發(fā)展所需要的圖形化技術(shù)。干膜光刻膠能實(shí)現(xiàn)高抗刻蝕性及沉積和顯影所需的可調(diào)厚度比例，以支持高 NA EUV 降低焦深的要求。

泛林集團(tuán)執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官 Rick Gottscho 表示：“干膜光刻膠技術(shù)結(jié)合 EUV 為將來 DRAM 和邏輯的發(fā)展掃清了最大障礙。此次合作將泛林在干膜光刻膠技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)知識、尖端解決方案與材料科學(xué)能力和來自兩個前體化學(xué)品行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者帶來的值得信賴的供應(yīng)渠道結(jié)合在一起。這一干膜光刻膠生態(tài)系統(tǒng)的重要擴(kuò)展為該技術(shù)的創(chuàng)新和量產(chǎn)鋪平了道路?！?/p>

干膜光刻膠最初由泛林與 ASML 和 IMEC合作開發(fā)，提升了 EUV 光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率，從而解決了與下一代 DRAM 和邏輯技術(shù)相關(guān)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。該技術(shù)提供出色的劑量-尺寸比和劑量-缺陷率性能，從而提高了 EUV 掃描儀的生產(chǎn)率并降低持有成本。此外，與傳統(tǒng)抗蝕劑工藝相比，泛林的干膜光刻膠工藝消耗的能源更少，原材料消耗量比之前要少五到十倍，從而提供了關(guān)鍵的可持續(xù)發(fā)展優(yōu)勢。

Entegris首席執(zhí)行官 Bertrand Loy 表示：“泛林的干膜光刻膠技術(shù)反映了材料層面的關(guān)鍵創(chuàng)新，并且提供多項(xiàng)優(yōu)勢，包括分辨率更佳、成本效益更高以及具吸引力的可持續(xù)發(fā)展效益。我們很自豪能夠參與這項(xiàng)創(chuàng)新合作，以加速干膜光刻膠技術(shù)的采用，并在客戶運(yùn)用這項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)造下一代半導(dǎo)體之際，成為他們值得信賴的工藝材料供應(yīng)商?！?/p>

三菱化學(xué)集團(tuán)旗下 Gelest 總裁 Jonathan Goff 表示：“我們與泛林和 Entegris 合作開發(fā) EUV 光刻所使用的干膜光刻膠，這表明我們致力于支持芯片制造商在材料科學(xué)領(lǐng)域的創(chuàng)新。近年來，我們已經(jīng)看到 EUV 展現(xiàn)出了非凡的價(jià)值，我們很高興成為不斷發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)的一部分，以擴(kuò)大其潛力?！?/p>

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