近日,長(zhǎng)電科技宣布
公司在先進(jìn)封測(cè)技術(shù)領(lǐng)域
又取得新的突破
實(shí)現(xiàn)4納米(nm)工藝制程
手機(jī)芯片的封裝
以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝
在市場(chǎng)的不斷推動(dòng)下,包括消費(fèi)電子等領(lǐng)域產(chǎn)品不斷朝向小型化與多功能化發(fā)展,芯片尺寸越來(lái)越小、種類越來(lái)越多,對(duì)先進(jìn)封測(cè)技術(shù)的需求也越來(lái)越高。諸如4納米等先進(jìn)工藝制程芯片,需要先進(jìn)的封裝技術(shù)以確保其更好的系統(tǒng)級(jí)電學(xué)、熱學(xué)性能。
同時(shí),封裝技術(shù)也在向多維異構(gòu)發(fā)展。相比于傳統(tǒng)的芯片疊加技術(shù),多維異構(gòu)封裝通過(guò)導(dǎo)入硅中介層、重布線中介層及其多維結(jié)合,來(lái)實(shí)現(xiàn)更高維度芯片封裝。該中介層封裝的另一特點(diǎn)是能夠優(yōu)化組合不同的密度布線和互聯(lián)從而達(dá)到性能和成本的有效平衡。
面向未來(lái),長(zhǎng)電科技將依托自身豐富技術(shù)沉淀和全球資源,聚焦先進(jìn)封裝等技術(shù)和工藝,持續(xù)提升創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化能力;同時(shí),將不斷加深與產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同合作,共同推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。
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