中電科二所激光剝離設(shè)備實(shí)現(xiàn)大尺寸工藝迭代
中電科二所激光剝離設(shè)備實(shí)現(xiàn)大尺寸工藝迭代
“十四五”時(shí)期是我國(guó)開啟全面建設(shè)社會(huì)主義現(xiàn)代化國(guó)家新征程的第一個(gè)五年，是國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生革命性轉(zhuǎn)變的關(guān)鍵時(shí)期。中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所肩負(fù)“大國(guó)重器”、“人工智能、半導(dǎo)體核心裝備自主可控”的歷史使命，積極響應(yīng)習(xí)近平總書記號(hào)召，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈部署創(chuàng)新鏈，圍繞創(chuàng)新鏈布局產(chǎn)業(yè)鏈，以科技創(chuàng)新引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以大國(guó)重器鑄造國(guó)芯基石。
激光剝離設(shè)備有機(jī)結(jié)合激光精密加工和晶體可控剝離，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體晶體高可靠切片工藝，可將晶體切割損耗降低60%以上，加工時(shí)間減少50%以上，并實(shí)現(xiàn)晶體加工整線的高度自動(dòng)化。激光剝離可用于碳化硅、氮化鎵、金剛石等硬脆半導(dǎo)體材料加工，實(shí)現(xiàn)襯底成本的大幅降低，亦可擴(kuò)展至電力電子與微波射頻芯片制造、異質(zhì)材料復(fù)合襯底制造、集成電路先進(jìn)封裝等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)晶圓減薄、解鍵合等先進(jìn)工藝，支撐國(guó)防軍工、下一代移動(dòng)通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展及國(guó)家安全、新基建、雙碳經(jīng)濟(jì)等國(guó)家重大戰(zhàn)略的實(shí)施，被譽(yù)為半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域的“光刻機(jī)”。
激光剝離項(xiàng)目是中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所針對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展痛點(diǎn)與難點(diǎn)遴選的首批“揭榜掛帥”項(xiàng)目之一，國(guó)內(nèi)多家科研團(tuán)隊(duì)踴躍組團(tuán)揭榜，項(xiàng)目揭榜立項(xiàng)后，團(tuán)隊(duì)緊鑼密鼓開展技術(shù)攻關(guān)，從工藝摸索到設(shè)備研制，成員夜以繼日奮戰(zhàn)在科研一線，放開手腳發(fā)揮創(chuàng)新潛能。功夫不負(fù)有心人，目前，團(tuán)隊(duì)已掌握激光剝離技術(shù)原理與工藝基礎(chǔ)，基于工藝與裝備的協(xié)同研發(fā)，實(shí)現(xiàn)了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離，取得突破性進(jìn)展。下一階段，激光剝離項(xiàng)目將以“大尺寸化、快速生產(chǎn)化、高良率化、全自動(dòng)化、低能耗化”為目標(biāo)，迅速開展由碳化硅晶錠至合格襯底片的自動(dòng)化設(shè)備貫線，真正解決國(guó)家第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)問題，為國(guó)家發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
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