國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET通過車企和Tier1廠商測試
國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET通過車企和Tier1廠商測試
近日，清純半導(dǎo)體推出了1200V/14mΩ SiC MOSFET 產(chǎn)品-S1M014120H，并通過了車企和tier1廠商的測試。S1M014120H具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，其靜態(tài)導(dǎo)通特性和動態(tài)開關(guān)特性均達到了國際一流水平，可應(yīng)用于新能源汽車電機控制器、大功率充電模塊、光伏逆變器以及大功率儲能等領(lǐng)域，S1M014120H的推出填補了國內(nèi)在該領(lǐng)域的產(chǎn)品空白。
S1M014120H主要靜態(tài)參數(shù)與國際一流產(chǎn)品(源于各產(chǎn)品規(guī)格書)對比如下表所示：
對比看出，S1M014120H可以在更大的柵極驅(qū)動電壓范圍內(nèi)工作，以適應(yīng)不同驅(qū)動電路的開發(fā)需求。其最高允許工作結(jié)溫為175℃，進一步提升器件的載流能力，有助于實現(xiàn)更高的功率密度，其靜態(tài)參數(shù)達到國際一流水平。
同時，清純半導(dǎo)體與國內(nèi)領(lǐng)先的功率模塊供應(yīng)商緊密合作，根據(jù)新能源汽車電驅(qū)動系統(tǒng)的具體需求(1200V/800A)，對采用S1M014120H和國際主流廠家同規(guī)格SiC芯片制造的多芯片并聯(lián)功率模塊在常溫及高溫的開關(guān)性能做了詳細(xì)表征，采用S1M014120H制造的模塊的常溫和高溫情況下關(guān)斷和導(dǎo)通特性如下圖所示：
與采用國際主流芯片制造的模塊測試結(jié)果對比，采用S1M014120H的模塊呈現(xiàn)波形平滑、高頻振蕩阻尼效應(yīng)突出、開關(guān)能量低的特點，更加適合電機控制器與充電模塊這類對效率及電磁兼容性有更高要求的應(yīng)用。在開關(guān)波形特性及能量損耗方面，清純半導(dǎo)體推出的S1M014120H已具備國際一流水平。
清純半導(dǎo)體憑借雄厚的技術(shù)實力，不斷取得SiC MOSFET研發(fā)及產(chǎn)品應(yīng)用的突破，4月量產(chǎn)首款國產(chǎn)15V驅(qū)動SiC MOSFET，8月推出國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，目前不同規(guī)格的SiC MOSFET產(chǎn)品已規(guī)模應(yīng)用到光伏、電源和OBC領(lǐng)域。公司不但始終瞄準(zhǔn)國際技術(shù)前沿，更是注重產(chǎn)品質(zhì)量控制，建有完整的質(zhì)量控制體系和可靠性實驗室，1200V量產(chǎn)SiC MOSFET 系列產(chǎn)品已通過AEC-Q101測試，新研發(fā)產(chǎn)品可靠性測試均順利進行中。
自我國確立“雙碳”目標(biāo)以來，新能源產(chǎn)業(yè)步入跨越式發(fā)展階段，這為以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爆發(fā)提供了寶貴的歷史機遇。我國擁有全球最大的電動車市場，由于碳化硅功率器件可明顯提升新能源汽車的功率密度、能效和續(xù)航里程，預(yù)計2～3年后SiC MOSFET將廣泛應(yīng)用于新能源車主驅(qū)。性能與可靠性比肩國際主流產(chǎn)品，且能夠適用于電動車主驅(qū)的低導(dǎo)通電阻國產(chǎn)SiC MOSFET芯片將成為行業(yè)的迫切需求，市場潛力巨大。清純半導(dǎo)體已從技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品量產(chǎn)、質(zhì)量管控、產(chǎn)能供應(yīng)等方面做好全方位準(zhǔn)備，致力推動SiC MOSFET國產(chǎn)化，支撐我國新能源汽車快速發(fā)展，助力國家實現(xiàn)“雙碳”戰(zhàn)略的宏偉目標(biāo)。
聲明：本文版權(quán)歸原作者所有，轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播，若有異議請聯(lián)系我們修改或刪除：zhangkai@cgbtek.com
COPYRIGHT北京華林嘉業(yè)科技有限公司 版權(quán)所有 京ICP備09080401號
