我國在下一代光電芯片制造領域取得重大突破
發(fā)布時間：2022-09-16發(fā)布人：
我國在下一代光電芯片制造領域取得重大突破
14日夜，國際頂級學術期刊《自然》發(fā)表了我國科學家在下一代光電芯片制造領域的重大突破。南京大學張勇、肖敏、祝世寧領銜的科研團隊，發(fā)明了一種新型“非互易飛秒激光極化鐵電疇”技術，將飛秒脈沖激光聚焦于材料“鈮酸鋰”的晶體內部，通過控制激光移動的方向，在晶體內部形成有效電場，實現(xiàn)三維結構的直寫和擦除。這一新技術，突破了傳統(tǒng)飛秒激光的光衍射極限，把光雕刻鈮酸鋰三維結構的尺寸，從傳統(tǒng)的1微米量級（相當于頭發(fā)絲的五十分之一），首次縮小到納米級，達到30納米，大大提高了加工精度。
這一重大發(fā)明，未來或可開辟光電芯片制造新賽道，有望用于光電調制器、聲學濾波器、非易失鐵電存儲器等關鍵光電器件芯片制備，在5G/6G通訊、光計算、人工智能等領域有廣泛的應用前景。
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