CASA發(fā)布SiC MOSFET功率循環(huán)試驗(yàn)/結(jié)殼熱阻測試2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
由工業(yè)和信息化部電子第五研究所牽頭制定,遵循CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定流程,經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程,團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 015—2022《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)功率循環(huán)試驗(yàn)方法》以及T/CASAS 016—2022《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試方法》于2022年7月18日正式面向產(chǎn)業(yè)發(fā)布。
2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)由工業(yè)和信息化部電子第五研究所、西安交通大學(xué)、南方電網(wǎng)科學(xué)研究院有限責(zé)任公司、比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司、國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團(tuán)集團(tuán)第五十五研究所等多家單位于2020年12月啟動標(biāo)準(zhǔn)預(yù)研工作,并于2021年4月正式立項(xiàng)。
T/CASAS 015—2022《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)功率循環(huán)試驗(yàn)方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)功率循環(huán)試驗(yàn)方法,評價器件在承受規(guī)定應(yīng)力的條件下是否符合規(guī)定的循環(huán)次數(shù)。對于提升SiC MOSFET器件的可靠性評價與分析技術(shù)能力,支撐SiC MOSFET器件的可靠性改進(jìn)具有重要意義。
【主要起草單位】陳媛、賀致遠(yuǎn)、來萍、路國光、姚天保、李金元、李堯圣、謝峰、成年斌、陳義強(qiáng)、黃云、劉奧、劉昌、徐新兵、吳海平、唐宏浩、劉偉鑫、李巍巍、王來利、喬良、徐瑞鵬。
‘
T/CASAS 016—2022《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試方法,適用于SiC MOSFET分立器件,以源極和漏極之間的電壓Vsd作為測試溫敏參數(shù)的結(jié)殼熱阻測試。
【主要起草單位】付志偉、侯波、周斌、陳思、楊曉鋒、陳義強(qiáng)、陳媛、來萍、黃云、路國光、劉奧、郭懷新、李巍巍、李金元、李堯圣、王來利、劉斯揚(yáng)、楊家躍、崔益軍、唐宏浩、喬良、徐瑞鵬。
工業(yè)和信息化部電子第五研究所(中國賽寶實(shí)驗(yàn)室),又名中國電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn)研究所,始建于1955年,是中國最早從事可靠性研究的權(quán)威機(jī)構(gòu)。
實(shí)驗(yàn)室可提供從材料到整機(jī)設(shè)備、從硬件到軟件直至復(fù)雜大系統(tǒng)的認(rèn)證計(jì)量、試驗(yàn)檢測、分析評價、數(shù)據(jù)服務(wù)、軟件評測、信息安全、技術(shù)培訓(xùn)、標(biāo)準(zhǔn)信息、工程監(jiān)理、節(jié)能環(huán)保、專用設(shè)備和專用軟件研發(fā)等技術(shù)服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室具有多項(xiàng)認(rèn)證、檢測資質(zhì)和授權(quán),建立了良好的國際合作互認(rèn)關(guān)系,可在世界范圍內(nèi)開展認(rèn)證、檢測業(yè)務(wù),代表中國進(jìn)行國際技術(shù)交流、標(biāo)準(zhǔn)和法規(guī)的制訂。同時,作為工業(yè)和信息化部的直屬單位,為部的行業(yè)管理和地方政府提供技術(shù)支撐,為電子信息企業(yè)提供技術(shù)支持與服務(wù),每年服務(wù)企業(yè)過萬家。
聲明:本文版權(quán)歸原作者所有,轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播,若有異議請聯(lián)系我們修改或刪除:zhangkai@cgbtek.com
COPYRIGHT北京華林嘉業(yè)科技有限公司 版權(quán)所有 京ICP備09080401號