溝槽SiC MOS將量產(chǎn)！這家企業(yè)投資超9億擴(kuò)產(chǎn)
前段時(shí)間，日立Astemo獲得了本田汽車的SiC電驅(qū)系統(tǒng)訂單，最近，日立加快了SiC功率半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃——將投資超過9億元，將產(chǎn)能提高3倍，并將量產(chǎn)溝槽型SiC MOS，營收要提升30倍。
10月4日，日媒Nikkan報(bào)道稱，日立功率器件株式會(huì)社將投資數(shù)百億日元，計(jì)劃到2026財(cái)年將SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高3倍。100億日元約為4.9億人民幣，照此計(jì)算，日立的投資金額至少超過9億元人民幣，而這些投資將用于增加晶圓代工廠的制造產(chǎn)能，并在他們的臨海工廠新增前端工藝設(shè)施。
目前，日立功率器件公司在臨海工廠生產(chǎn)以鐵路為主的SiC功率半導(dǎo)體，前段工序在臨海工廠，后段工序在山梨工廠生產(chǎn)。報(bào)道還提到，日立計(jì)劃將于2025財(cái)年下半年開始量產(chǎn)TED-MOS結(jié)構(gòu)SiC MOSFET。他們宣稱這是全球最節(jié)能的溝槽型SiC MOS——其電場強(qiáng)度比傳統(tǒng)的DMOSFET低40％，電阻低25％，還具有1.2 kV的額定工作電壓，同時(shí)，由于開關(guān)速度更快，能量損耗也降低了50％。據(jù)介紹，日立2021年開始提供TED-MOS樣品，預(yù)計(jì)在2023年開始樣品出貨，并在2025財(cái)年前開始量產(chǎn)具有更高性能的下一代產(chǎn)品。對(duì)于該結(jié)構(gòu)，日立非常有信心，并提出了一個(gè)“大目標(biāo)”——2030年要將碳化硅半導(dǎo)體的銷售額提高至17.8億人民幣，達(dá)到2019年度的30倍。除上述提到的TED-MOS之外，日立還開發(fā)了一款全碳化硅模塊，功耗可降低30%。
2021年12月，日立功率半導(dǎo)體宣布，他們已經(jīng)開發(fā)出耐壓為1.7 KV 的全碳化硅模塊，適用于鐵路車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。通常，全SiC模塊是由SiC SBD和SiC MOSFET組成。但據(jù)日立功率器件介紹，他們的全SiC模塊產(chǎn)品不包含SiC SBD，只采用了SiC MOSFET，電感低至10nH。同時(shí)，通過將輔助柵極電阻與 MOSFET 的柵極串聯(lián)，成功將開關(guān)損耗降低了約30%。日立功率器件表示，碳化硅芯片的正下方是熱應(yīng)力最強(qiáng)的地方。通過在這部分采用燒結(jié)銅，增加了接頭的強(qiáng)度，也提高了模塊的耐用性。轉(zhuǎn)載微信公眾號(hào)：GaN世界
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