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       第三代半導體氮化鎵（Gallium nitride、簡稱GaN）商機即將爆發(fā)？GaN功率芯片商Navitas Semiconductor預測，5年后手機充電器將舍棄傳統硅芯片，轉向擁抱GaN半導體。

       Barron's報導，Navitas宣稱，他們生產的GaN功率半導體，速度是傳統硅芯片的20倍、并能傳送3倍的電壓，而且尺寸和重量只有硅芯片的一半。Navitas正與特殊目的收購公司Live Oak Acquisition Corp.II合并，預定9月底完成相關程序，在美國納斯達克交易所以NVTS的代號掛牌。

       6月底的投資人會議上，Navitas執(zhí)行長Gene Sheridan展示使用GaN芯片制成的手機充電器，體積是一般充電器的一半，半小時內就能充飽50%電力。Sheridan說，次世代的GaN充電器，目標8分鐘充飽50%電力。

       GaN充電器功能雖然強大，售價也比硅芯片充電器貴上20%。Sheridan預測，兩年內GaN充電器的成本將與硅充電器打平，3年后GaN充電器會比硅充電器更便宜。他預言，再過5年以上時間，整個市場就會轉向GaN。

       Navitas認為，GaN擁有龐大的市場潛能，2020年硅功率半導體的市場規(guī)模為90億美元，估計2026年增至130億美元。GaN市場有望每年成長兩倍，2026年市值達到20億美元，占整體功率芯片市場的16%。此外，Navitas也生產車載充電器（onboard charger），速度是一般電動車充電器的3倍，相關技術并能協助太陽能面板更為普及。