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這個(gè)項(xiàng)目將新添一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線 年產(chǎn)值可達(dá)到12億元

發(fā)布時(shí)間:2021-08-20發(fā)布人:

這個(gè)項(xiàng)目將新添一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線 年產(chǎn)值可達(dá)到12億元

來源:全球半導(dǎo)體觀察


       據(jù)徐州日?qǐng)?bào)8月16日?qǐng)?bào)道,近日,徐州致能半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“徐州致能半導(dǎo)體”)燦科半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目將新上線一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線。該項(xiàng)目建成并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后,可年產(chǎn)氮化鎵共封裝器件2億顆、氮化鎵晶圓6萬片,年產(chǎn)值可達(dá)到12億元。


       報(bào)道顯示,去年11月,燦科半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目簽約落地徐州高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)園內(nèi),由廣東致能科技有限公司投資建設(shè),總投資5.5億元。該項(xiàng)目在今年1月開工建設(shè),3月潔凈廠房建成并投入使用,目前已開始試生產(chǎn)。


       據(jù)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、徐州致能半導(dǎo)體總經(jīng)理黎子蘭介紹,燦科半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目將新上線一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線,可把氮化鎵功率芯片與硅驅(qū)動(dòng)芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起,形成氮化鎵芯片共封裝器件,能有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統(tǒng)PCB板連接導(dǎo)致的延時(shí)較長(zhǎng)、寄生電感較大、干擾嚴(yán)重等問題,發(fā)揮氮化鎵芯片的高頻優(yōu)勢(shì),也能助推企業(yè)在電子信息產(chǎn)業(yè)依靠科技創(chuàng)新?lián)屨际袌?chǎng)新藍(lán)海。

 

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