年產(chǎn)值可達(dá)12億元！徐州燦科半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目再添氮化鎵共封裝器件產(chǎn)線
年產(chǎn)值可達(dá)12億元！徐州燦科半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目再添氮化鎵共封裝器件產(chǎn)線
來源：集微網(wǎng)
據(jù)徐州日報(bào)報(bào)道，近日，燦科半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目將增加一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線，項(xiàng)目建成量產(chǎn)后，可年產(chǎn)氮化鎵共封裝器件2億顆、氮化鎵晶圓6萬片，年產(chǎn)值可達(dá)到12億元。
據(jù)悉，2020年11月燦科半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目簽約落地，由廣東致能科技有限公司投資建設(shè)，總投資5.5億元。項(xiàng)目位于徐州高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)園，2021年1月開工建設(shè)，3月潔凈廠房建成并投入使用，目前已開始試生產(chǎn)。
據(jù)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、徐州致能半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理黎子蘭介紹，新上線的氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線，可將氮化鎵功率芯片與硅驅(qū)動(dòng)芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起，形成氮化鎵芯片共封裝器件，能有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統(tǒng)PCB板連接導(dǎo)致的延時(shí)較長、寄生電感較大、干擾嚴(yán)重等問題，發(fā)揮氮化鎵芯片的高頻優(yōu)勢，助推企業(yè)在電子信息產(chǎn)業(yè)依靠科技創(chuàng)新?lián)屨际袌鲂滤{(lán)海。
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