華為出手第三代半導(dǎo)體材料 性能實(shí)現(xiàn)千倍提升
發(fā)布時(shí)間：2019-08-27發(fā)布人：
華為出手第三代半導(dǎo)體材料 性能實(shí)現(xiàn)千倍提升
出自：中國證券網(wǎng)
華為出資7億元全資控股，剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股達(dá)10%。山東天岳是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
華創(chuàng)證券認(rèn)為，我國及全球5G網(wǎng)絡(luò)正在大規(guī)模建設(shè)中。大數(shù)據(jù)傳輸、云計(jì)算、AI技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。而硅材料的負(fù)載量已到達(dá)極限，以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無可突破的空間。
而碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機(jī)”。碳化硅材料實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，將打破國外壟斷，推動國內(nèi)5G芯片技術(shù)和生產(chǎn)能力的提升。
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