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臺積電攜手力晶打造3D整合芯片 已開始量產(chǎn)出貨

發(fā)布時間:2021-08-26發(fā)布人:

臺積電攜手力晶打造3D整合芯片 已開始量產(chǎn)出貨

              來源:臺灣經(jīng)濟日報                             


       臺積電、力晶兩大集團攜手,透過DRAM與邏輯芯片的真3D堆疊異質(zhì)整合技術,打造全球最強異質(zhì)整合芯片,協(xié)助客戶打破摩爾定律的限制,領先英特爾、三星等勁敵,為全球首創(chuàng)。該3D整合芯片提供相對于現(xiàn)有高帶寬存儲器(HBM)十倍以上的高速帶寬及數(shù)倍容量,為中國臺灣地區(qū)半導體業(yè)筑起更難超越的高墻。


       力晶集團昨(25)日透過旗下客制化產(chǎn)品研發(fā)暨智財授權商愛普,宣布這項訊息。這是中國臺灣地區(qū)半導體技術又一大突破,相關產(chǎn)品已開始量產(chǎn)出貨,鎖定區(qū)塊鏈、AI、網(wǎng)通等先進應用,過程當中,愛普“小兵立大功”,負責引案、設計、研發(fā)等工作,并串連臺積電在邏輯芯片代工與3D堆迭制造能力,以及力晶旗下力積電存儲器代工制造能量,打造出世界第一的異質(zhì)整合晶片。


       此次兩大集團合作分工,由愛普提供的VHM(3D堆疊技術存儲器),包含客制化DRAM設計及DRAM與邏輯芯片整合介面的VHM LIn KIP;力積電供應客制化DRAM晶圓代工制造,最后由臺積電提供邏輯制程晶圓代工及3D堆疊制造服務。

臺積電自十年前開始耕耘先進封裝,陸續(xù)開發(fā)CoWoS、封裝內(nèi)封裝乃至逐步發(fā)展自先進封裝3D fabric整合平臺,在今年技術論壇上也特別說明先進封裝產(chǎn)能擴充計劃。


       力積電表示,邏輯芯片與DRAM的3D整合,是力積電在AI存儲器策略上的最新成果,這項3D技術將可為DRAM的帶寬創(chuàng)造前所未見的可能性,對于AI、網(wǎng)通及圖像處理等特別需要大量帶寬的應用,將有極大的幫助。


       愛普表示,半導體封裝技術已從傳統(tǒng)的2D封裝演進到2.5D,再到真正的3D封裝,而2.5D封裝是將多片芯片封裝于同一塊硅中介板上,但真正的3D封裝技術則是以垂直的連接方式,將多片芯片直接立體地互相堆疊,相較于2.5D封裝,邏輯芯片與DRAM的3D整合,將可在顯著降低傳輸功耗的同時,同時大幅提升內(nèi)存的帶寬。


       此次推出的3D整合芯片,提供相對高帶寬存儲器十倍以上的高速帶寬,搭載超過4GB內(nèi)存容量,并且是7納米制程邏輯芯片內(nèi)存SRAM最大容量的五到十倍。

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