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總投資25億元的集成電路制造項目簽約落戶浙江嘉興

出自：嘉興科技城

11月7日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗，嘉興科技城管委會副主任曹建弟，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司負(fù)責(zé)人出席簽約儀式。

該項目將新建大型規(guī)模化的GaN射頻器件與功率器件生產(chǎn)基地，總投資25億元，占地110畝。項目全部達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年銷售30億元以上，年稅收7000萬元以上。GaN屬于第三代高大禁帶寬度的半導(dǎo)體材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比，具有高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性，能夠廣泛運用于5G通訊基站、智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、軍工航天、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備、智能電網(wǎng)及太陽能逆變器等領(lǐng)域。