?國投創(chuàng)業(yè)投資企業(yè)光梓科技、源杰半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布5G前傳解決方案
國投創(chuàng)業(yè)投資企業(yè)光梓科技、源杰半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布5G前傳解決方案
來源：國投創(chuàng)業(yè)
國投創(chuàng)業(yè)兩家投資企業(yè)——高速模擬芯片廠商光梓科技和國產(chǎn)激光器廠商源杰半導(dǎo)體，日前聯(lián)合推出工業(yè)級5G前傳高性價比解決方案：工業(yè)級CMOS 25G-DML Driver激光器驅(qū)動芯片和工業(yè)級25G激光器芯片，主要應(yīng)用于5G數(shù)據(jù)前傳市場，以實現(xiàn)核心產(chǎn)品的自主可控，滿足持續(xù)增長的市場需求。
截至目前，光梓科技已經(jīng)開發(fā)完成5G網(wǎng)絡(luò)前傳/中傳覆蓋距離所需的0-30Km完整解決方案，并具備量產(chǎn)出貨能力。源杰半導(dǎo)體于2019年開始在25G國產(chǎn)激光器芯片市場持續(xù)發(fā)力，憑借其IDM開發(fā)模式，首推了25G國產(chǎn)光芯片，今年延伸實現(xiàn)50GPAM4等更高速產(chǎn)品，均得到海內(nèi)外客戶的充分認(rèn)可。
25G-DML Driver因需要大驅(qū)動電流和調(diào)制電流，行業(yè)內(nèi)基本采用鍺化硅(SiGe)工藝實現(xiàn)，因此易受制于SiGe晶圓代工產(chǎn)能及供應(yīng)鏈局限。光梓科技基于標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制程工藝，實現(xiàn)高速高帶寬通訊芯片及相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計和產(chǎn)業(yè)化，先后完成了4x10G/1x25G VCSEL Driver/TIA等芯片的量產(chǎn)工作。通過創(chuàng)新的設(shè)計工作和完整的知識產(chǎn)權(quán)，光梓科技克服了CMOS工藝不能驅(qū)動大電流的瓶頸，推出了基于CMOS工藝的1x25G DML Driver + Dual CDR的產(chǎn)業(yè)化方案，各方面綜合性能達(dá)到了行業(yè)水平，滿足模塊和終端客戶對于5G前傳方案的性能、成本及供應(yīng)鏈的需求，現(xiàn)已處于預(yù)量產(chǎn)狀態(tài)。
源杰半導(dǎo)體于2019年實現(xiàn)25G光芯片國產(chǎn)化，率先支持5G新基建建設(shè)。工業(yè)級25G激光器芯片普遍存在材料氧化失效與小尺寸熱堆積失效等技術(shù)難題，源杰半導(dǎo)體在過去幾年進行了大量的開發(fā)資源投入并完成技術(shù)攻克，相關(guān)解決方案在國內(nèi)具備了創(chuàng)新性與唯一性優(yōu)勢。源杰半導(dǎo)體的該款芯片在性能與可靠性方面能完全替代國外同類產(chǎn)品，填補了國內(nèi)空白。
光梓科技是我國高速光電集成芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。光梓科技利用具有完整自主知識產(chǎn)權(quán)的CMOS高速低功耗模擬光電子芯片設(shè)計和制造技術(shù)，聯(lián)合世界領(lǐng)先水平的企業(yè)和學(xué)術(shù)機構(gòu)，為快速增長的5G網(wǎng)絡(luò)、云計算、大數(shù)據(jù)中心、移動信息、生物傳感等新型數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)，提供在性能、功耗、成本結(jié)構(gòu)上都有極強競爭力的高品質(zhì)核心產(chǎn)品。2020年光梓科技被評為“中國5G行業(yè)30強(非上市公司)”“中國信息光電創(chuàng)業(yè)企業(yè)42強”“畢馬威中國最具投資價值半導(dǎo)體企業(yè)50強”等。
源杰半導(dǎo)體成立于2013年，企業(yè)具備自主設(shè)計、生產(chǎn)制造半導(dǎo)體激光器芯片能力，已授權(quán)激光器專利27項。企業(yè)擁有數(shù)條從MOCVD外延生長、芯片生產(chǎn)和自動測試的生產(chǎn)線，產(chǎn)品面覆蓋2.5Gbps、10Gbps、25Gbps與50Gbps激光器，所有產(chǎn)品均由源杰半導(dǎo)體產(chǎn)線自主設(shè)計、開發(fā)、制造與測試驗證。源杰半導(dǎo)體產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于電信運營商、數(shù)據(jù)中心及光纖到戶等領(lǐng)域，持續(xù)致力于提供高性價比、高可靠性產(chǎn)品。
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