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國內(nèi)首款1.6Tb/s硅光互連芯片在NOEIC完成研制

發(fā)布時間:2021-12-30發(fā)布人:

國內(nèi)首款1.6Tb/s硅光互連芯片在NOEIC完成研制

來源:國家信息光電子創(chuàng)新中心    2021-12-30
近日,國家信息光電子創(chuàng)新中心(NOEIC)、鵬城實驗室、中國信息通信科技集團光纖通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)國家重點實驗室、武漢光迅科技股份有限公司,在國內(nèi)率先完成了1.6Tb/s硅基光收發(fā)芯片的聯(lián)合研制和功能驗證,實現(xiàn)了我國硅光芯片技術(shù)向Tb/s級的首次跨越。

隨著超級計算、人工智能、5G等新興技術(shù)的蓬勃發(fā)展,全球數(shù)據(jù)交換需求爆發(fā)式增長,光收發(fā)模塊市場已達(dá)千億。目前,國際上400G光模塊進(jìn)入商用部署階段,800G光模塊樣機研制和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)正在推進(jìn)中。2021年12月13日,針對1.6T光接口的MSA(Multi-Source Agreement,多源協(xié)議)行業(yè)聯(lián)盟宣布成立,宣告1.6Tb/s光模塊將成為下一步全球競相追逐的熱點。然而,1.6Tb/s光芯片在速率、集成度、封裝技術(shù)等方面都具有極高挑戰(zhàn),國際上還沒有明確和完善的解決方案。

近日,國家信息光電子創(chuàng)新中心(NOEIC)、鵬城實驗室、中國信息通信科技集團光纖通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)國家重點實驗室、武漢光迅科技股份有限公司,在國內(nèi)率先完成了1.6Tb/s硅基光收發(fā)芯片的聯(lián)合研制和功能驗證,實現(xiàn)了我國硅光芯片技術(shù)向Tb/s級的首次跨越。研究人員分別在單顆硅基光發(fā)射芯片和硅基光接收芯片上集成了8個通道高速電光調(diào)制器和高速光電探測器,每個通道可實現(xiàn)200Gb/s PAM4高速信號的光電和電光轉(zhuǎn)換,最終經(jīng)過芯片封裝和系統(tǒng)傳輸測試,完成了單片容量高達(dá)8×200Gb/s光互連技術(shù)驗證。該工作刷新了國內(nèi)此前單片光互連速率和互連密度的最好水平,展現(xiàn)出硅光技術(shù)的超高速、超高密度、高可擴展性等突出優(yōu)勢,為下一代數(shù)據(jù)中心內(nèi)的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案。

NOEIC一直致力于推動高端光電子芯片的技術(shù)演進(jìn)、國內(nèi)首產(chǎn)和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化。近年來,在超高速光收發(fā)芯片技術(shù)上獲得持續(xù)突破,相繼研制出一系列新型的超100Gbaud硅光調(diào)制器和探測器成果,先后在Nature Communications、IEEE JSSC、ECOC PDP、ACP PDP上發(fā)布,并入選“中國光學(xué)十大進(jìn)展”、“中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展”,面向Tb/s光模塊作出了充分的技術(shù)儲備。
NOEIC同時積極參與和推動相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)制定工作,牽頭中國通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(CCSA)“100GBaud及以上高速光收發(fā)器件研究”、“800G光收發(fā)合一模塊:4×200G”標(biāo)準(zhǔn),為我國高速光模塊行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定貢獻(xiàn)力量。國家信息光電子創(chuàng)新中心將繼續(xù)聯(lián)合國內(nèi)優(yōu)勢單位,共同完成相關(guān)技術(shù)驗證和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化等工作,力爭為我國信息光電子行業(yè)提速升級、快速占據(jù)產(chǎn)業(yè)制高點提供有力支撐。

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