晶湛半導(dǎo)體完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資
來源:大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 2022-03-03
近日,蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司(“晶湛半導(dǎo)體”)宣布完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資。
近日,蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司(“晶湛半導(dǎo)體”)宣布完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資。本輪融資由歌爾微電子領(lǐng)投,高瓴創(chuàng)投、惠友資本、創(chuàng)新工場(chǎng)、禾創(chuàng)致遠(yuǎn)、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投,老股東元禾控股、湖杉資本等繼續(xù)加碼。
晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認(rèn)的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延技術(shù)的開拓者程凱博士于2012年3月回國(guó)創(chuàng)辦,坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū),擁有國(guó)際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地,致力于為電力電子、射頻電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案,也是目前國(guó)際上唯一可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商,技術(shù)實(shí)力處于國(guó)際領(lǐng)先地位。
在公司發(fā)展過程中,晶湛在業(yè)內(nèi)創(chuàng)造過多項(xiàng)第一。2014年底,晶湛半導(dǎo)體就率先在全球首次發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品,經(jīng)有關(guān)下游客戶驗(yàn)證,該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白。2021年9月,晶湛半導(dǎo)體又成功全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片,贏得了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。經(jīng)過多年的專注發(fā)展,晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍企業(yè),通過與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作,多次在行業(yè)頂級(jí)期刊Nature Electronics,IEEE Electron Device Letters,及國(guó)際頂級(jí)會(huì)議IEDM等發(fā)布相關(guān)創(chuàng)新成果,引起國(guó)際半導(dǎo)體界的廣泛關(guān)注和一致好評(píng)。
晶湛半導(dǎo)體高度重視自主研發(fā)和核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作,在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項(xiàng)核心技術(shù), 擁有完全獨(dú)立的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),晶湛半導(dǎo)體目前已在國(guó)內(nèi)外累計(jì)申請(qǐng)近400項(xiàng)專利,其中已獲得超100項(xiàng)專利授權(quán)。公司還先后榮獲蘇州市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、蘇州工業(yè)園區(qū)專利授權(quán)十佳企業(yè)、蘇州工業(yè)園區(qū)知識(shí)產(chǎn)權(quán)高質(zhì)量創(chuàng)造獎(jiǎng)、江蘇省百件優(yōu)質(zhì)發(fā)明專利、江蘇省高質(zhì)量發(fā)明專利、蘇州市優(yōu)秀專利獎(jiǎng)、國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、蘇州市獨(dú)角獸培育企業(yè)、 蘇州市企業(yè)工程技術(shù)研究中心等一系列資質(zhì)和榮譽(yù)。
近年來,在國(guó)家“十四五”規(guī)劃、“碳達(dá)峰碳中和”等重磅利好政策的指導(dǎo)下,在移動(dòng)手機(jī)快充、新能源汽車、下一代移動(dòng)通信、“元宇宙”和新型顯示等市場(chǎng)創(chuàng)新應(yīng)用的持續(xù)推動(dòng)下,氮化鎵迎來了高速發(fā)展的歷史機(jī)遇期,已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明日之星。本次B+輪戰(zhàn)略融資將主要用于晶湛半導(dǎo)體總部和研發(fā)中心建設(shè),項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后晶湛半導(dǎo)體將建成國(guó)際一流、國(guó)內(nèi)首屈一指的氮化鎵電力電子、射頻電子以及微顯示材料研發(fā)生產(chǎn)基地,推動(dòng)晶湛半導(dǎo)體進(jìn)入新的發(fā)展階段。
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