動態(tài) | 中電科二所碳化硅芯片研制成功
動態(tài) | 中電科二所碳化硅芯片研制成功
碳化硅芯觀察 2022-02-25 18:22
2月25日下午，中國電子科技集團(tuán)第二研究所對外宣布：山西省第一片碳化硅芯片研制成功。
2021年9月，中國電科二所承擔(dān)山西太原某實(shí)驗(yàn)室6英寸SiC芯片整線系統(tǒng)集成項目，該項目要求四個月內(nèi)完成整線設(shè)備評估、選型、采購、安裝、調(diào)試，并流出第一片芯片。
時間緊，任務(wù)重！二所憑借自身行業(yè)影響力和資源調(diào)配能力，在一個月之內(nèi)完成所需全部設(shè)備技術(shù)評估與選型，所有商務(wù)流程合規(guī)操作；設(shè)備移入階段正趕上國慶假期又恰逢太原市連日降雨、氣溫驟降，為了不耽誤項目進(jìn)度，項目團(tuán)隊放棄休息，在保證人員及設(shè)備安全的前提下連夜冒雨作業(yè)，每天夜晚卸貨、搬運(yùn)、拆包，白天安裝就位，連續(xù)奮戰(zhàn)，一個月之內(nèi)完成設(shè)備移入。
為按時間節(jié)點(diǎn)完成流片任務(wù)，項目團(tuán)隊苦干巧干拼命干，堅定信心高質(zhì)量打贏項目攻堅戰(zhàn)，各工藝段負(fù)責(zé)人平均每天工作16個小時，各設(shè)備負(fù)責(zé)人輪流堅守崗位，以踔厲奮發(fā)、篤行不怠的精神，為生產(chǎn)保駕護(hù)航。最終于水、電、氣等配套條件完成后30日內(nèi)，完成單機(jī)設(shè)備調(diào)試、碳化硅SBD整線工藝調(diào)試并成功產(chǎn)出山西省第一片碳化硅芯片，研制速度創(chuàng)造了國內(nèi)第一！
碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)點(diǎn)，可有效突破傳統(tǒng)硅基材料的物理極限，廣泛應(yīng)用于新能源汽車及其充電樁、大數(shù)據(jù)中心、軌道牽引、高壓電網(wǎng)、新能源逆變等領(lǐng)域，成為我國重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略性先進(jìn)半導(dǎo)體，對實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰碳中和具有重要的戰(zhàn)略意義。
這款碳化硅芯片是落實(shí)山西省“十四五”規(guī)劃將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打造成新支柱產(chǎn)業(yè)取得的階段性重大成果，是太原市向半導(dǎo)體領(lǐng)域轉(zhuǎn)型發(fā)展道路上的一個里程碑。行百里者半九十，接下來的任務(wù)還很艱巨，需進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計和工藝流程，研制系列化碳化硅SBD芯片和碳化硅MOSFET芯片，提升性能指標(biāo)、提高良品率，實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。
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