2022年第三代半導體重點項目“版圖”，超15大項目背后芯勢力
2022年第三代半導體重點項目“版圖”，超15大項目背后芯勢力
集微網(wǎng)消息，上海、北京、天津、江蘇、安徽、河北、福建、湖北、四川、廣東、江西等地2022年重點項目計劃已于近期發(fā)布，“第三代半導體”依然作為熱門投資領(lǐng)域“上榜”。集微網(wǎng)不完全統(tǒng)計顯示，今年被列入省、市重點項目的第三代半導體項目已超15個。
從2022年入選市級以上重點第三代半導體項目分布地區(qū)來看，東南沿海地區(qū)占比超40%；京津環(huán)渤海地區(qū)占比超30%；長三角與中西部項目數(shù)相當。
以上項目中，超60%“專攻”SiC領(lǐng)域，超1/3研發(fā)、制造SiC襯底。從建設單位來看，天岳、天科合達、山東同光、露笑等一批國內(nèi)代表性第三代半導體企業(yè)都有項目上榜，助推公司產(chǎn)能進一步擴升。
由于省市之間重點項目的制定存在一定差別。因此以上項目分布，并不能完整反應該地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展實力情況。
北京：第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設項目
根據(jù)《北京市2022年重點工程計劃》文件，該項目單位為北京天科合達半導體股份有限公司，項目位于大興區(qū)，建設規(guī)模約5.5萬平方米，新建第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地，新建滿足400臺單晶生長爐生長、加工、清洗和檢測的廠房1座并建立配套的動力站、科研樓等配套。
2020年8月，天科合達第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設項目開工儀式在北京大興舉行。當時消息顯示，項目總投資約9.5億元，新建一條400臺/套碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設備的碳化硅襯底生產(chǎn)線，建成后可年產(chǎn)碳化硅襯底12萬片。
上海：天岳碳化硅半導體材料項目
2021年8月，上海天岳半導體產(chǎn)業(yè)基地在臨港開工。
上海天岳半導體材料有限公司成立于2020年6月，是山東天岳先進科技股份有限公司的全資子公司。此前公開消息顯示，上海天岳建設“碳化硅半導體材料項目” 總建筑面積9.5萬平方米，總投資25億元，在達產(chǎn)年，形成年產(chǎn)導電型碳化硅晶錠2.6萬塊，對應襯底產(chǎn)品30萬片的生產(chǎn)能力。
安徽：第三代功率半導體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園項目
根據(jù)安徽2022年重點項目投資計劃，第三代功率半導體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園項目，建設地點位于合肥長豐縣，項目單位為合肥露笑半導體材料有限公司，總建筑面積8萬平方米，主要建設廠房、輔助用房，購置晶體生長爐、原料合成爐測試設備、超凈室、研發(fā)設備等先進設備。
2020年11月28日，露笑科技第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目開工。此前公開消息顯示，該項目規(guī)劃總投資100億元，主要建設第三代功率半導體（碳化硅）的設備制造、長晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地。該項目一期投資21億元，達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)24萬片導電型碳化硅襯底片和5萬片外延片的生產(chǎn)能力。
2021年11月7日，露笑科技發(fā)布公告稱，合肥露笑半導體一期已完成主要設備的安裝調(diào)試，進入正式投產(chǎn)階段。后續(xù)公司會根據(jù)市場訂單情況及一期投產(chǎn)情況完成產(chǎn)能的進一步擴張。
河北：同光高質(zhì)量碳化硅單晶襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化項目
2021年9月，同光晶體碳化硅單晶淶源項目正式投產(chǎn)，項目總投資10億元，計劃增購單晶生長爐600臺，滿產(chǎn)后，達到年產(chǎn)10萬片生產(chǎn)能力。
當時同光科技董事長鄭清超表示，下一步，同光正謀劃建設2000臺碳化硅晶體生長爐生長基地，以及年產(chǎn)60萬片碳化硅單晶襯底加工基地，擬總投資40億元，預計2025年末實現(xiàn)滿產(chǎn)運營。
天達晶陽半導體年產(chǎn)2.8萬片碳化硅晶片項目
此前清河經(jīng)濟開發(fā)區(qū)消息顯示，天達晶陽公司投資建設碳化硅單晶體項目，總投資約7.3億元，項目建設分為兩期。其中，第一期為年產(chǎn)4英寸碳化硅晶片1.2萬片，使用單晶生長爐54臺。第二期年產(chǎn)分別為4-8英寸碳化硅晶片10.8萬片。
據(jù)悉，河北天達晶陽半導體技術(shù)股份有限公司成立于2020年6月，以中國科學院物理研究所、北京天科合達半導體股份有限公司為技術(shù)依托，采用的技術(shù)綜合實力在碳化硅單晶襯底行業(yè)排名國內(nèi)第一、世界第四，達到了國內(nèi)領(lǐng)先和國際先進水平。
青島：華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底項目
今年2月28日，青島華芯晶元第三代半導體項目開工。項目總投資7億元，占地50畝，建筑面積5.4萬平方米，項目采用碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導體化合物材料加工生產(chǎn)相關(guān)芯片襯底產(chǎn)品，廣泛用于光電子器件及通訊微波射頻器件（4G、5G通訊基站），項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)33萬片第三代化合物半導體襯底晶圓的產(chǎn)業(yè)線。
而除部分已透露建設單位的項目之外，也有部分項目并未透露詳細情況，但根據(jù)落地地區(qū)、建設情況等信息，也可一窺端倪。
廣東：芯粵能碳化硅芯片生產(chǎn)線項目
芯粵能碳化硅芯片生產(chǎn)線項目總投資35億元，建設月產(chǎn)能2萬片的6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線。
廣東芯粵能半導體有限公司由世界500強企業(yè)吉利汽車參與投資。項目主要面向新能源汽車及相關(guān)應用領(lǐng)域的碳化硅（SiC）芯片產(chǎn)業(yè)化，包括芯片設計、芯片工藝研發(fā)與規(guī)模化制造等。
廣州：碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項目
根據(jù)官方信息，廣州碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項目位于南沙區(qū)。
值得一提的是，2020年7月8日，廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項目動工。據(jù)當時報道，該項目將擴大晶體生長和加工規(guī)模，并增加外延片加工生產(chǎn)線，達產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片，年產(chǎn)值將達13.5億元。
志橙半導體SiC材料研發(fā)制造總部
志橙半導體SiC材料研發(fā)制造總部項目主要從事半導體SiC涂層石墨基座生產(chǎn)，項目占地約15275.6平方米，其中建筑占地面積6885.07平方米，總建筑面積24346.92平方米，主要建筑物包括主廠房、供氫站、化學品供應站等。
廣州志橙半導體有限公司成立于2020年，為深圳市志橙半導體材料有限公司的全資控股子公司。深圳志橙專業(yè)為半導體芯片制造設備提供核心部件SiC涂層石墨基座（以下簡稱“石墨盤”），是目前國內(nèi)唯一量產(chǎn)半導體外延用SiC涂層石墨基座的高科技企業(yè)。
東莞：第三代半導體襯底及裝備產(chǎn)業(yè)化項目
據(jù)東莞市發(fā)改委消息，第三代半導體襯底及裝備產(chǎn)業(yè)化項目計劃投資60080萬元，項目位于東莞松山湖，將實現(xiàn)圖形化藍寶石襯底年產(chǎn)量約6120萬片（折合2英寸），計劃投產(chǎn)時間為2023年12月。
圖片
東莞市人民政府官網(wǎng)網(wǎng)站信息顯示，位于松山湖的中圖半導體襯底及裝備產(chǎn)業(yè)化項目總投資也為60080萬元，占地約57畝，總建筑面積67387平方米。項目主要從事2-6英寸圖形化藍寶石襯底（簡稱PSS）的研發(fā)與生產(chǎn)。兩者或為同一項目。（校對/西農(nóng)落）
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