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年產(chǎn)22萬片SiC!這個35億碳化硅芯片項目簽約浙江

發(fā)布時間:2021-07-23發(fā)布人:

    年產(chǎn)22萬片SiC!這個35億碳化硅芯片項目簽約浙江
    來源:化合物半導(dǎo)體市場

   

    7月18日,在“2021上海·金華周”開幕式上,16個項目集中簽約,包括總投資35億元的世紀金光第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片項目。


    年產(chǎn)22萬片SiC,產(chǎn)值達40億!


    據(jù)悉,世紀金光第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片項目總投資35億元,建設(shè)年產(chǎn)22萬片6~8英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線,項目分三期完成建設(shè),三期項目全部達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值約40億元。項目建成后將助推上下游關(guān)聯(lián)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,預(yù)計可帶動上下游產(chǎn)業(yè)近千億產(chǎn)值。


    世紀金光在SiC領(lǐng)域的發(fā)展歷程


    2015年,第一款SiC SBD研制成功,開始SiC全產(chǎn)業(yè)鏈工業(yè)生產(chǎn)線建設(shè)

    2016年,第一款SiC MOSFET器件研發(fā)成功

    2017年,獲得國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金投資,“企業(yè)研發(fā)中心”獲批“第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計與驗證北京市工程實驗室”

    SiC從粉料到功率器件產(chǎn)業(yè)鏈建成并投產(chǎn)

    2018年,國內(nèi)首條6英寸SiC器件生產(chǎn)線通線

    2019年,獲得“第三代半導(dǎo)體功率器件與驗證中試服務(wù)平臺”授牌


    關(guān)于世紀金光


    世紀金光是一家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè),致力于第三代半導(dǎo)體功能材料和功率器件研發(fā)與生產(chǎn),是國內(nèi)第一家擁有SiC全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)的半導(dǎo)體公司。


    目前,“世紀金光”碳化硅6英寸單晶已量產(chǎn);功率器件和模塊制備已覆蓋額定電壓650-1700V、額定電流5-100A的碳化硅肖特基二極管(SBD),額定電壓650-1200V、額定電流20-100A的金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),50-600A的全橋、半橋混合功率模塊及全碳化硅功率模塊等。



    在終端應(yīng)用方面,世紀金光碳化硅功率器件已經(jīng)成熟應(yīng)用于電源PFC、充電樁充電模組、光伏逆變器、特種電源等領(lǐng)域;基于碳化硅技術(shù)的新能源汽車電機驅(qū)動系統(tǒng)的技術(shù)開發(fā)已經(jīng)獲得重要進展。

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